ATP 512 MB S800Pi SD SD-Karte HS Industriequalität, SLC
- RS Best.-Nr.:
- 195-8357
- Herst. Teile-Nr.:
- AF512SDI-5AFXM
- Marke:
- ATP
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ATP | |
| Speicher Größe | 512MB | |
| Produkt Typ | SD-Karte | |
| Speicherkartenformat | SD | |
| Serie | S800Pi | |
| Geschwindigkeitsklassifizierung | HS | |
| Industriequalität | Ja | |
| Maximale Betriebstemperatur | 85°C | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| NAND-Typ | SLC | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ATP | ||
Speicher Größe 512MB | ||
Produkt Typ SD-Karte | ||
Speicherkartenformat SD | ||
Serie S800Pi | ||
Geschwindigkeitsklassifizierung HS | ||
Industriequalität Ja | ||
Maximale Betriebstemperatur 85°C | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
NAND-Typ SLC | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
SD/SDHC-Karten ATP Industrial Grade wurden für anspruchsvolle industrielle Anwendungen wie Militär, Automobilindustrie, Luftfahrt entwickelt, in denen unternehmenskritische Daten ein Höchstmaß an Zuverlässigkeit, Langlebigkeit und Datenintegrität erfordern. ATP SD-Karten sind für abnehmbare und kleine Geräte mit Formfaktor geeignet. Diese Merkmale sind ideal für Wechselspeichergeräte, z. B. Automatisierungs-OS oder Anwendungsprogramm und Kartensystem in der Automobilindustrie. Mit dem SIP-Herstellungsverfahren (System-In-Packaging-Verfahren) von ATP Alle ATP-Produkte in Industriequalität durchlaufen mehrstufige Datenmustertests, die auf mögliche frühe Fallout-Situationen in jeder Halbleitertechnologie abschirmung reagieren. Darüber hinaus sorgt die Read Disturb Protector - Auto Refresh-Technologie für die Datenintegrität gleichzeitig.
SLC NAND-Flash (Single-Level-Cell)
SiP (System in Package)
Erweiterte Wear-Leveling-Technologie
Verwaltung fehlerhafter Blöcke
Read Disturb Protector – AutoRefresh für hohe Datenintegrität während des Lesevorgangs
Wasser- und staubdicht
Sehr zuverlässig und positive Umwelttests (Biegen/Drehmoment/Salznebel/Sonneneinstrahlung)
ESD-Beständigkeit:
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