ISSI SDRAM 128MBit 8 M x 16 143MHz 16bit Bits/Wort 5.4ns TSOP 54-Pin, 3 V bis 3,6 V
- RS Best.-Nr.:
- 811-5131
- Herst. Teile-Nr.:
- IS42S16800F-7TL
- Marke:
- ISSI
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ISSI | |
| Speicher Größe | 128MBit | |
| Organisation | 8 M x 16 | |
| Datenumfang | 143MHz | |
| Datenbus-Breite | 16bit | |
| Adressbusbreite | 14bit | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 16bit | |
| Zugriffszeit max. | 5.4ns | |
| Anzahl der Wörter | 8M | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Gehäusegröße | TSOP | |
| Pinanzahl | 54 | |
| Abmessungen | 22.42 x 10.29 x 1.05mm | |
| Höhe | 1.05mm | |
| Länge | 22.42mm | |
| Betriebstemperatur min. | 0 °C | |
| Betriebstemperatur max. | +70 °C | |
| Arbeitsspannnung min. | 3 V | |
| Breite | 10.29mm | |
| Arbeitsspannnung max. | 3,6 V | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ISSI | ||
Speicher Größe 128MBit | ||
Organisation 8 M x 16 | ||
Datenumfang 143MHz | ||
Datenbus-Breite 16bit | ||
Adressbusbreite 14bit | ||
Anzahl der Bits pro Wort 16bit | ||
Zugriffszeit max. 5.4ns | ||
Anzahl der Wörter 8M | ||
Montage-Typ SMD | ||
Gehäusegröße TSOP | ||
Pinanzahl 54 | ||
Abmessungen 22.42 x 10.29 x 1.05mm | ||
Höhe 1.05mm | ||
Länge 22.42mm | ||
Betriebstemperatur min. 0 °C | ||
Betriebstemperatur max. +70 °C | ||
Arbeitsspannnung min. 3 V | ||
Breite 10.29mm | ||
Arbeitsspannnung max. 3,6 V | ||
Dynamischer RAM, ISSI
ISSISDR SDRAM Serie bietet synchrone Schnittstelle mit programmierbarer CAS-Latenz (2/3 Uhren). Die Datenübertragung mit hoher Geschwindigkeit wird durch Anwendung des Pipeline-Prozesses sichergestellt, und die synchrone DRAM SDR Serien bieten Burst Lesen/Schreiben und Burst Lesen- /einfach Schreiben, womit sie sich ideal zum Einsatz in Computeranwendungen eignen. ISSI's SDR SDRAM-Geräte gibt es in einer Reihe von verschiedenen Organisationen und Speichergrößen, betrieben mit einem 3,3-Volt-Netzteil.
LVTTL-Schnittstelle
Eingangs-/Ausgangssignale beziehen sich auf die ansteigende Flanke des Takteingangs
Programmierbare Burst Reihenfolge: Sequenzielles/Interleave; programmierbar Burstlänge
Zufällige Spaltenadresse für jeden Zyklus
Selbst-Refresh und Auto Refresh Modus
Eingangs-/Ausgangssignale beziehen sich auf die ansteigende Flanke des Takteingangs
Programmierbare Burst Reihenfolge: Sequenzielles/Interleave; programmierbar Burstlänge
Zufällige Spaltenadresse für jeden Zyklus
Selbst-Refresh und Auto Refresh Modus
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