Renesas Electronics 8MBit LowPower SRAM 512K, 16bit / Wort, TSOP 44-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 767-5929
- Herst. Teile-Nr.:
- R1LV0816ASB-5SI#B0
- Marke:
- Renesas Electronics
Nicht mehr im Sortiment
- RS Best.-Nr.:
- 767-5929
- Herst. Teile-Nr.:
- R1LV0816ASB-5SI#B0
- Marke:
- Renesas Electronics
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- JP
Produktdetails
SRAM mit geringem Stromverbrauch, Serie R1LV, Renesas Electronics
Die hoch entwickelten Niederspannungs-SRAMs der Serie R1LV eignen sich für Anwendungen, bei denen einfache Kopplung, Batteriebetrieb und Batteriepufferung sind die wichtigen Zielsetzungen des Designs sind.
Einfaches Netzteil mit 2,7 V oder 3,6 V
Kleine Ruhestromanforderungen
Keine Taktung, keine Aktualisierung erforderlich
Alle Eingänge und Ausgänge sind TTL-kompatibel.
Ausgänge mit drei Zuständen: OR-Tie-Fähigkeit
Kleine Ruhestromanforderungen
Keine Taktung, keine Aktualisierung erforderlich
Alle Eingänge und Ausgänge sind TTL-kompatibel.
Ausgänge mit drei Zuständen: OR-Tie-Fähigkeit
SRAM (Static Random Access Memory)
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Speicher Größe | 8MBit |
| Organisation | 512K Wörter x 16 bit |
| Anzahl der Wörter | 512K |
| Anzahl der Bits pro Wort | 16bit |
| Zugriffszeit max. | 55ns |
| Low Power | Ja |
| Timing Typ | Asymmetrisch |
| Montage-Typ | SMD |
| Gehäusegröße | TSOP |
| Pinanzahl | 44 |
| Abmessungen | 18.51 x 10.26 x 1mm |
| Höhe | 1mm |
| Arbeitsspannnung max. | 3,6 V |
| Betriebstemperatur min. | -40 °C |
| Arbeitsspannnung min. | 2,4 V |
| Betriebstemperatur max. | +85 °C |
| Breite | 10.26mm |
| Länge | 18.51mm |
- RS Best.-Nr.:
- 767-5929
- Herst. Teile-Nr.:
- R1LV0816ASB-5SI#B0
- Marke:
- Renesas Electronics