Infineon 8MBit LowPower SRAM 512k 1MHz, 16bit / Wort 16bit, TSOP 48-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 124-2944
- Herst. Teile-Nr.:
- CY62157EV30LL-45ZXI
- Marke:
- Cypress Semiconductor
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
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- 124-2944
- Herst. Teile-Nr.:
- CY62157EV30LL-45ZXI
- Marke:
- Cypress Semiconductor
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Cypress Semiconductor | |
| Speicher Größe | 8MBit | |
| Organisation | 512 KB x 16 bit | |
| Anzahl der Wörter | 512k | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 16bit | |
| Zugriffszeit max. | 45ns | |
| Adressbusbreite | 16bit | |
| Taktfrequenz | 1MHz | |
| Low Power | Ja | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Gehäusegröße | TSOP | |
| Pinanzahl | 48 | |
| Abmessungen | 18.4 x 12 x 1.05mm | |
| Höhe | 1.05mm | |
| Arbeitsspannnung max. | 3,6 V | |
| Breite | 12mm | |
| Länge | 18.4mm | |
| Betriebstemperatur max. | +85 °C | |
| Betriebstemperatur min. | –40 °C | |
| Arbeitsspannnung min. | 2,2 V | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Cypress Semiconductor | ||
Speicher Größe 8MBit | ||
Organisation 512 KB x 16 bit | ||
Anzahl der Wörter 512k | ||
Anzahl der Bits pro Wort 16bit | ||
Zugriffszeit max. 45ns | ||
Adressbusbreite 16bit | ||
Taktfrequenz 1MHz | ||
Low Power Ja | ||
Montage-Typ SMD | ||
Gehäusegröße TSOP | ||
Pinanzahl 48 | ||
Abmessungen 18.4 x 12 x 1.05mm | ||
Höhe 1.05mm | ||
Arbeitsspannnung max. 3,6 V | ||
Breite 12mm | ||
Länge 18.4mm | ||
Betriebstemperatur max. +85 °C | ||
Betriebstemperatur min. –40 °C | ||
Arbeitsspannnung min. 2,2 V | ||
Dünnes kleines Outline-Gehäuse (TSOP) I-Gehäuse, konfigurierbar als 512 K x 16 oder 1 M x 8 statischer RAM (SRAM)
Hohe Geschwindigkeit: 45 ns
Temperaturbereiche
Industrie: -40 °C bis +85 °C.
KFZ-A: -40 °C bis +85 °C.
KFZ-E: -40 °C bis +125 °C.
Großer Spannungsbereich: 2,20 V bis 3,60 V
PIN kompatibel mit CY62157DV30
Extrem niedrige Standby-Leistung
Typischer Standby-Strom: 2 μA
Maximaler Standby-Strom: 8 μA (Industrie)
Extrem niedrige Wirkleistung
Typischer Wirkstrom: 1,8 mA bei f = 1 MHz
Einfache Speichererweiterung mit CE1-, CE2- und OE-Funktionen
Automatische Abschaltung bei Deaktivierung
Komplementärer Metalloxid-Halbleiter (CMOS) für optimale Geschwindigkeit und Leistung
Erhältlich in Pb-freien und nicht-Pb-freien 48-Ball-VFBGA-Gehäusen (sehr fein), Pb-freien 44-poligen dünnen TSOP-II-Gehäusen (Small Outline Package) und 48-poligen TSOP-I-Gehäusen
Hohe Geschwindigkeit: 45 ns
Temperaturbereiche
Industrie: -40 °C bis +85 °C.
KFZ-A: -40 °C bis +85 °C.
KFZ-E: -40 °C bis +125 °C.
Großer Spannungsbereich: 2,20 V bis 3,60 V
PIN kompatibel mit CY62157DV30
Extrem niedrige Standby-Leistung
Typischer Standby-Strom: 2 μA
Maximaler Standby-Strom: 8 μA (Industrie)
Extrem niedrige Wirkleistung
Typischer Wirkstrom: 1,8 mA bei f = 1 MHz
Einfache Speichererweiterung mit CE1-, CE2- und OE-Funktionen
Automatische Abschaltung bei Deaktivierung
Komplementärer Metalloxid-Halbleiter (CMOS) für optimale Geschwindigkeit und Leistung
Erhältlich in Pb-freien und nicht-Pb-freien 48-Ball-VFBGA-Gehäusen (sehr fein), Pb-freien 44-poligen dünnen TSOP-II-Gehäusen (Small Outline Package) und 48-poligen TSOP-I-Gehäusen