Cypress Semiconductor 1MBit LowPower SRAM 1M, 1bit / Wort, SOJ 28-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 125-7537
- Herst. Teile-Nr.:
- CY7C107D-10VXI
- Marke:
- Cypress Semiconductor
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
- RS Best.-Nr.:
- 125-7537
- Herst. Teile-Nr.:
- CY7C107D-10VXI
- Marke:
- Cypress Semiconductor
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Cypress Semiconductor | |
| Speicher Größe | 1MBit | |
| Organisation | 1M x 1 Bit | |
| Anzahl der Wörter | 1M | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 1bit | |
| Zugriffszeit max. | 10ns | |
| Low Power | Ja | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Gehäusegröße | SOJ | |
| Pinanzahl | 28 | |
| Abmessungen | 18.54 x 10.29 x 3.124mm | |
| Arbeitsspannnung max. | 5 V | |
| Höhe | 3.124mm | |
| Betriebstemperatur max. | +85 °C | |
| Betriebstemperatur min. | –40 °C | |
| Länge | 18.54mm | |
| Breite | 10.29mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Cypress Semiconductor | ||
Speicher Größe 1MBit | ||
Organisation 1M x 1 Bit | ||
Anzahl der Wörter 1M | ||
Anzahl der Bits pro Wort 1bit | ||
Zugriffszeit max. 10ns | ||
Low Power Ja | ||
Montage-Typ SMD | ||
Gehäusegröße SOJ | ||
Pinanzahl 28 | ||
Abmessungen 18.54 x 10.29 x 3.124mm | ||
Arbeitsspannnung max. 5 V | ||
Höhe 3.124mm | ||
Betriebstemperatur max. +85 °C | ||
Betriebstemperatur min. –40 °C | ||
Länge 18.54mm | ||
Breite 10.29mm | ||
Stift- und funktionskompatibel mit CY7C107B/CY7C1007B.
Hohe Geschwindigkeit
TAA = 10 ns
Niedrige Wirkleistung
ICC = 80 mA @ 10 ns
Geringe komplementäre Metalloxid-Halbleiter-(CMOS)-Standby-Leistung
ISB2 = 3 mA
2,0 V Data Ret
Automatische Abschaltung bei Deaktivierung
CMOS für optimale Geschwindigkeit/Leistung
TTL-kompatible (Transistor Transistor Transistor Logic) Ein- und Ausgänge
CY7C107D erhältlich in Pb-freiem 28-poligem 400-mil-breitem gegossenem SOJ-Gehäuse. CY7C1007D erhältlich in Pb-freiem 28-poligem 300-mil-breitem gegossenem SOJ-Gehäuse
Hohe Geschwindigkeit
TAA = 10 ns
Niedrige Wirkleistung
ICC = 80 mA @ 10 ns
Geringe komplementäre Metalloxid-Halbleiter-(CMOS)-Standby-Leistung
ISB2 = 3 mA
2,0 V Data Ret
Automatische Abschaltung bei Deaktivierung
CMOS für optimale Geschwindigkeit/Leistung
TTL-kompatible (Transistor Transistor Transistor Logic) Ein- und Ausgänge
CY7C107D erhältlich in Pb-freiem 28-poligem 400-mil-breitem gegossenem SOJ-Gehäuse. CY7C1007D erhältlich in Pb-freiem 28-poligem 300-mil-breitem gegossenem SOJ-Gehäuse
