Renesas Electronics 4MBit LowPower SRAM 512K, 8bit / Wort 19bit, sTSOP 32-Pin

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RS Best.-Nr.:
126-6975
Herst. Teile-Nr.:
RMLV0408EGSA-4S2#AA1
Marke:
Renesas Electronics
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Marke

Renesas Electronics

Speicher Größe

4MBit

Organisation

512K Wörter x 8 bit

Anzahl der Wörter

512K

Anzahl der Bits pro Wort

8bit

Zugriffszeit max.

45ns

Adressbusbreite

19bit

Low Power

Ja

Montage-Typ

SMD

Gehäusegröße

sTSOP

Pinanzahl

32

Abmessungen

11.9 x 8.1 x 1mm

Höhe

1mm

Arbeitsspannnung max.

3,6 V

Arbeitsspannnung min.

2,7 V

Breite

8.1mm

Betriebstemperatur max.

+85 °C

Betriebstemperatur min.

–40 °C

Länge

11.9mm

Energiesparversion-SRAM, Serie RMLV, Renesas Electronics


Die Serie RMLV von erweiterten Hochleistungs-SRAM-Speichern bietet höhere Dichte, niedrigen Stromverbrauch und Standby-Verlustleistung mit geringem Verbrauch.

Einfaches 2,7 bis 3,6 V Netzteil
Zugriffszeit: 45 ns (max.)
Gleiche Zugriffs- und Zykluszeiten
Gemeinsamer Dateneingang und -ausgang mit Drei-Punkt-Ausgang
Alle Eingänge und Ausgänge sind TTL-kompatibel
Geeignet für Batteriepufferungsbetrieb


SRAM (Static Random Access Memory)