Renesas Electronics 8MBit LowPower SRAM 512k, 16bit / Wort 19bit, FBGA 48-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 126-6981
- Herst. Teile-Nr.:
- RMLV0816BGBG-4S2#AC0
- Marke:
- Renesas Electronics
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Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 4 | 15,07 € |
| 5 - 9 | 14,66 € |
| 10 - 49 | 14,28 € |
| 50 - 99 | 13,91 € |
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*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 126-6981
- Herst. Teile-Nr.:
- RMLV0816BGBG-4S2#AC0
- Marke:
- Renesas Electronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Renesas Electronics | |
| Speicher Größe | 8MBit | |
| Organisation | 512 KB x 16 bit | |
| Anzahl der Wörter | 512k | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 16bit | |
| Zugriffszeit max. | 45ns | |
| Adressbusbreite | 19bit | |
| Low Power | Ja | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Gehäusegröße | FBGA | |
| Pinanzahl | 48 | |
| Abmessungen | 7.58 x 8.58 x 0.8mm | |
| Arbeitsspannnung max. | 3,6 V | |
| Höhe | 0.8mm | |
| Länge | 7.58mm | |
| Betriebstemperatur max. | +85 °C | |
| Betriebstemperatur min. | –40 °C | |
| Arbeitsspannnung min. | 2,7 V | |
| Breite | 8.58mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Renesas Electronics | ||
Speicher Größe 8MBit | ||
Organisation 512 KB x 16 bit | ||
Anzahl der Wörter 512k | ||
Anzahl der Bits pro Wort 16bit | ||
Zugriffszeit max. 45ns | ||
Adressbusbreite 19bit | ||
Low Power Ja | ||
Montage-Typ SMD | ||
Gehäusegröße FBGA | ||
Pinanzahl 48 | ||
Abmessungen 7.58 x 8.58 x 0.8mm | ||
Arbeitsspannnung max. 3,6 V | ||
Höhe 0.8mm | ||
Länge 7.58mm | ||
Betriebstemperatur max. +85 °C | ||
Betriebstemperatur min. –40 °C | ||
Arbeitsspannnung min. 2,7 V | ||
Breite 8.58mm | ||
Energiesparversion-SRAM, Serie RMLV, Renesas Electronics
Die Serie RMLV von erweiterten Hochleistungs-SRAM-Speichern bietet höhere Dichte, niedrigen Stromverbrauch und Standby-Verlustleistung mit geringem Verbrauch.
Einfaches 2,7 bis 3,6 V Netzteil
Zugriffszeit: 45 ns (max.)
Gleiche Zugriffs- und Zykluszeiten
Gemeinsamer Dateneingang und -ausgang mit Drei-Punkt-Ausgang
Alle Eingänge und Ausgänge sind TTL-kompatibel
Geeignet für Batteriepufferungsbetrieb
Zugriffszeit: 45 ns (max.)
Gleiche Zugriffs- und Zykluszeiten
Gemeinsamer Dateneingang und -ausgang mit Drei-Punkt-Ausgang
Alle Eingänge und Ausgänge sind TTL-kompatibel
Geeignet für Batteriepufferungsbetrieb
SRAM (Static Random Access Memory)