Renesas Electronics 16MBit LowPower SRAM 1M, 2M, 8 bit, 16 bit / Wort 19 bit, 20 bit, TSOP 52-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 126-7312P
- Herst. Teile-Nr.:
- RMLV1616AGSD-5S2#AC0
- Marke:
- Renesas Electronics
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Renesas Electronics | |
| Speicher Größe | 16MBit | |
| Organisation | 1 M Wörter x 16 bit, 2 M Wörter x 8 bit | |
| Anzahl der Wörter | 1M, 2M | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 8 bit, 16 bit | |
| Zugriffszeit max. | 55ns | |
| Adressbusbreite | 19 bit, 20 bit | |
| Low Power | Ja | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Gehäusegröße | TSOP | |
| Pinanzahl | 52 | |
| Abmessungen | 10.89 x 8.99 x 1mm | |
| Höhe | 1mm | |
| Arbeitsspannnung max. | 3,6 V | |
| Arbeitsspannnung min. | 2,7 V | |
| Betriebstemperatur min. | –40 °C | |
| Länge | 10.89mm | |
| Betriebstemperatur max. | +85 °C | |
| Breite | 8.99mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Renesas Electronics | ||
Speicher Größe 16MBit | ||
Organisation 1 M Wörter x 16 bit, 2 M Wörter x 8 bit | ||
Anzahl der Wörter 1M, 2M | ||
Anzahl der Bits pro Wort 8 bit, 16 bit | ||
Zugriffszeit max. 55ns | ||
Adressbusbreite 19 bit, 20 bit | ||
Low Power Ja | ||
Montage-Typ SMD | ||
Gehäusegröße TSOP | ||
Pinanzahl 52 | ||
Abmessungen 10.89 x 8.99 x 1mm | ||
Höhe 1mm | ||
Arbeitsspannnung max. 3,6 V | ||
Arbeitsspannnung min. 2,7 V | ||
Betriebstemperatur min. –40 °C | ||
Länge 10.89mm | ||
Betriebstemperatur max. +85 °C | ||
Breite 8.99mm | ||
Energiesparversion-SRAM, Serie RMLV, Renesas Electronics
Die Serie RMLV von erweiterten Hochleistungs-SRAM-Speichern bietet höhere Dichte, niedrigen Stromverbrauch und Standby-Verlustleistung mit geringem Verbrauch.
Einfaches 2,7 bis 3,6 V Netzteil
Zugriffszeit: 45 ns (max.)
Gleiche Zugriffs- und Zykluszeiten
Gemeinsamer Dateneingang und -ausgang mit Drei-Punkt-Ausgang
Alle Eingänge und Ausgänge sind TTL-kompatibel
Geeignet für Batteriepufferungsbetrieb
Zugriffszeit: 45 ns (max.)
Gleiche Zugriffs- und Zykluszeiten
Gemeinsamer Dateneingang und -ausgang mit Drei-Punkt-Ausgang
Alle Eingänge und Ausgänge sind TTL-kompatibel
Geeignet für Batteriepufferungsbetrieb
SRAM (Static Random Access Memory)
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