Microchip 16kbit LowPower EERAM 2048k 1000kHz, 8bit / Wort, 2,7 V bis 3,6 V, DIP 8-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 146-3214
- Herst. Teile-Nr.:
- 47L16-I/P
- Marke:
- Microchip
Nicht verfügbar
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- Herst. Teile-Nr.:
- 47L16-I/P
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Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Microchip | |
| Speicher Größe | 16kbit | |
| Organisation | 2048 K x 8 Bit | |
| Anzahl der Wörter | 2048k | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 8bit | |
| Zugriffszeit max. | 400ns | |
| Taktfrequenz | 1000kHz | |
| Low Power | Ja | |
| Timing Typ | Synchron | |
| Montage-Typ | THT | |
| Gehäusegröße | DIP | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Abmessungen | 10.2 x 7.1 x 4.83mm | |
| Arbeitsspannnung max. | 3,6 V | |
| Höhe | 4.83mm | |
| Breite | 7.1mm | |
| Länge | 10.2mm | |
| Betriebstemperatur max. | +85 °C | |
| Betriebstemperatur min. | –40 °C | |
| Arbeitsspannnung min. | 2,7 V | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Microchip | ||
Speicher Größe 16kbit | ||
Organisation 2048 K x 8 Bit | ||
Anzahl der Wörter 2048k | ||
Anzahl der Bits pro Wort 8bit | ||
Zugriffszeit max. 400ns | ||
Taktfrequenz 1000kHz | ||
Low Power Ja | ||
Timing Typ Synchron | ||
Montage-Typ THT | ||
Gehäusegröße DIP | ||
Pinanzahl 8 | ||
Abmessungen 10.2 x 7.1 x 4.83mm | ||
Arbeitsspannnung max. 3,6 V | ||
Höhe 4.83mm | ||
Breite 7.1mm | ||
Länge 10.2mm | ||
Betriebstemperatur max. +85 °C | ||
Betriebstemperatur min. –40 °C | ||
Arbeitsspannnung min. 2,7 V | ||
Der Microchip 47L16 16-Kbit serielle EERAM ist ein kostengünstiger NVSRAM, der die Notwendigkeit einer externen Batterie zur Datenspeicherung beseitigt. Das Gerät ist als 2048 x 8 Bit organisiert und nutzt die serielle I2C-Schnittstelle. Es bietet unendliche Lese- und Schreibzyklen für den SRAM, während die EEPROM-Zellen eine langlebige, nichtflüchtige Speicherung von Daten bieten. Mit einem externen Kondensator werden SRAM-Daten bei Stromausfall automatisch in das EEPROM übertragen. Die Daten können auch manuell übertragen werden, entweder über den Hardware-Speicher-Pin oder per Softwaresteuerung. Beim Einschalten werden die EEPROM-Daten automatisch in das SRAM zurückgeladen.
Automatische Speicherung im EEPROM beim Ausschalten (mit optionalem externen Kondensator)
Automatisches Abrufen im SRAM-Array beim Einschalten
Hardware-Speicher-Pin für manuelle Speichervorgänge
Software-Befehle zur Einleitung von Speicher- und Abrufvorgängen
Speicherzeit 40 ms (max.)
Hochgeschwindigkeits-I2C-Schnittstelle (bis zu 1 MHz)
Nicht flüchtige externe Ereigniserkennungskennzeichnung
Datenspeicherung über 200 Jahre
ESD-Schutz über 2000 V
Temperaturbereich zwischen -40 °C und +85 °C.
8-adriges DIP-Gehäuse aus Kunststoff (300 mil-Gehäuse)
Automatisches Abrufen im SRAM-Array beim Einschalten
Hardware-Speicher-Pin für manuelle Speichervorgänge
Software-Befehle zur Einleitung von Speicher- und Abrufvorgängen
Speicherzeit 40 ms (max.)
Hochgeschwindigkeits-I2C-Schnittstelle (bis zu 1 MHz)
Nicht flüchtige externe Ereigniserkennungskennzeichnung
Datenspeicherung über 200 Jahre
ESD-Schutz über 2000 V
Temperaturbereich zwischen -40 °C und +85 °C.
8-adriges DIP-Gehäuse aus Kunststoff (300 mil-Gehäuse)