Infineon 4 MB SRAM 512K 1 MHz, 8 / Wort 8 bit, SOIC 32-Pin

Dieser SRAM ist ein statisches Speichergerät, das für die schnelle Datenspeicherung in eingebetteten Systemen mit geringer Latenz entwickelt wurde. Er arbeitet in einer Standard-Digitalumgebung mit Einzelversorgung und ist für die Oberflächenmontage auf Leiterplatten ausgelegt. Die Komponente unterstützt asynchrone Lese-/Schreibinteraktion und eignet sich für Anwendungen, die eine moderate Kapazität und ein deterministisches Zugriffs-Timing erfordern.

• Die zufällige Zugriffszeit von 45 ns verbessert die deterministische Datenabfrage
• Maximale Taktfrequenz von 1 MHz reduziert die Leistung während der Abfrage
• Die Organisation von 4 MB bietet eine umfangreiche flüchtige Speicherkapazität
• Der Versorgungsbereich von 4,5 V bis 5,5 V ermöglicht die Kompatibilität mit Standard-5-V-Systemen
• Typischer Versorgungsstrom von 20 mA senkt den Energieverbrauch im Leerlauf
• 32-poliges SOIC-Gehäuse unterstützt kompakte Leiterplatten-Layouts

• Geeignet für die Pufferung in industriellen Steuergeräten
• Ideal für die Datenprotokollierung in Messsystemen
• Verwendung mit Mikrocontrollern zum Code-Shadowing
• Kann zur Frame-Pufferung in älterer Videoelektronik verwendet werden
• Geeignet für die temporäre Aufbewahrung in Kommunikations-Gateways

Er ist für den Betrieb von -40 °C bis 85 °C für den Einsatz unter anspruchsvollen Umgebungsbedingungen ausgelegt.

Das Gerät verfügt über 512.000 Wörter mit 8-Bit-Breite, auf die über eine 8-Bit-Adress-Schnittstelle zugegriffen werden kann.

Die Komponente wird in einem 32-poligen SOIC-Gehäuse für die Oberflächenmontage geliefert, das eine Länge von 20,75 mm und eine Breite von 11,43 mm misst.

Die Entwickler sollten die maximale Versorgungsspannung von 5,5 V beachten und sicherstellen, dass das Timing der 45-ns-Zugangsanforderung entspricht, wobei das asynchrone Timing-Schema berücksichtigt wird.