Cypress Semiconductor 4MBit SRAM-Speicherbaustein 512k, 8bit / Wort, TSOP 44-Pin

Alle SRAM anzeigen
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
181-7606
Herst. Teile-Nr.:
CY7C1049GN30-10ZSXI
Marke:
Cypress Semiconductor
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Cypress Semiconductor

Speicher Größe

4MBit

Organisation

512 k x 8 Bit

Anzahl der Wörter

512k

Anzahl der Bits pro Wort

8bit

Zugriffszeit max.

10ns

Timing Typ

Asymmetrisch

Montage-Typ

SMD

Gehäusegröße

TSOP

Pinanzahl

44

Abmessungen

18.51 x 10.26 x 1.04mm

Höhe

1.04mm

Arbeitsspannnung max.

3,6 V

Betriebstemperatur max.

+85 °C

Länge

18.51mm

Betriebstemperatur min.

–40 °C

Arbeitsspannnung min.

2,2 V

Breite

10.26mm

Das Modell CY7C1049GN ist ein Hochleistungs-CMOS-SRAM-Gerät, organisiert als 512000 Wörter mit jeweils 8 Bit. Schreibvorgänge erfolgen über die Festlegung der Eingaben "Chip Enable" (CE) und "Write Enable" (WE) als NIEDRIG, und stellt die Daten gleichzeitig über E/A-0 bis E/A-7 sowie die Adresse über die Pole A-0 bis A-18 zur Verfügung. Lesevorgänge erfolgen über die Festlegung der Eingaben "Chip Enable" (CE) und "Write Enable" (WE) als NIEDRIG, unter Angabe der erforderlichen Adresse und der Adresszeilen. Daten werden über die E/A-Leitungen ausgelesen (E/A-0 bis E/A-7). Alle E/A (E/A-0 bis E/A-7) befinden sich während der folgenden Ereignisse in einem hochohmigen Zustand: Wenn die Auswahl für das Gerät aufgehoben wird (CE HOCH), oder wenn die Festlegung für das Kontrollsignal OE aufgehoben wird.

Hohe Geschwindigkeit
tAA = 10 ns
Niedriger Wirk- und Standby-Strom
Wirkstrom: ICC = 38 mA (typisch)
Standby-Strom: ISB2 = 6 mA (typisch)
Betriebsspannungsbereich: 1,65 V bis 2,2 V, 2,2 V bis 3,6 V und
4,5 V bis 5,5 V
1,0 V Datenspeicherung
TTL-kompatible Ein- und Ausgänge
Bleifreie, 36-polige SOJ-Gehäuse sowie 44-polige TSOP-II-Gehäuse