Cypress Semiconductor 1Gbit SRAM-Speicherbaustein 2048k, 64bit / Wort 8bit, BGA 63-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 181-8291
- Herst. Teile-Nr.:
- S34ML01G200BHI000
- Marke:
- Cypress Semiconductor
Nicht verfügbar
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- RS Best.-Nr.:
- 181-8291
- Herst. Teile-Nr.:
- S34ML01G200BHI000
- Marke:
- Cypress Semiconductor
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Cypress Semiconductor | |
| Speicher Größe | 1Gbit | |
| Organisation | 2048 K x 64 Bit | |
| Anzahl der Wörter | 2048k | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 64bit | |
| Adressbusbreite | 8bit | |
| Timing Typ | Asymmetrisch | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Gehäusegröße | BGA | |
| Pinanzahl | 63 | |
| Abmessungen | 11 x 9 x 1mm | |
| Arbeitsspannnung max. | 3,6 V | |
| Höhe | 1mm | |
| Breite | 9mm | |
| Länge | 11mm | |
| Betriebstemperatur max. | +85 °C | |
| Arbeitsspannnung min. | 2,7 V | |
| Betriebstemperatur min. | –40 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Cypress Semiconductor | ||
Speicher Größe 1Gbit | ||
Organisation 2048 K x 64 Bit | ||
Anzahl der Wörter 2048k | ||
Anzahl der Bits pro Wort 64bit | ||
Adressbusbreite 8bit | ||
Timing Typ Asymmetrisch | ||
Montage-Typ SMD | ||
Gehäusegröße BGA | ||
Pinanzahl 63 | ||
Abmessungen 11 x 9 x 1mm | ||
Arbeitsspannnung max. 3,6 V | ||
Höhe 1mm | ||
Breite 9mm | ||
Länge 11mm | ||
Betriebstemperatur max. +85 °C | ||
Arbeitsspannnung min. 2,7 V | ||
Betriebstemperatur min. –40 °C | ||
Die Serien S34ML01G2, S34ML02G2 und S34ML04G2 sind erhältlich mit 3,3 V VCC-Netzteil sowie mit x8 oder x16 E/A-Schnittstelle. Durch die verwendeten NAND-Zellen ergeben sich die kostengünstigsten Lösungen im Bereich Halbleiter-Massenpeicherung. Der Speicher ist in Blöcke unterteilt, die unabhängig gelöscht werden können. So können bei der Löschung alter Daten die gültigen Daten beibehalten werden. Die Seitengröße bei x8 beträgt (2048 + zusätzliche) Byte, bei x16 ergeben sich (1024 + zusätzliche) Wörter.