Cypress Semiconductor 16MBit SRAM-Speicher 2M 100MHz, 8bit / Wort, TSOP 54-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 181-8359
- Herst. Teile-Nr.:
- CY7C1069G30-10ZSXI-CYP
- Marke:
- Cypress Semiconductor
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
- RS Best.-Nr.:
- 181-8359
- Herst. Teile-Nr.:
- CY7C1069G30-10ZSXI-CYP
- Marke:
- Cypress Semiconductor
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Cypress Semiconductor | |
| Speicher Größe | 16MBit | |
| Organisation | 2M x 8 bit | |
| Anzahl der Wörter | 2M | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 8bit | |
| Zugriffszeit max. | 10ns | |
| Taktfrequenz | 100MHz | |
| Timing Typ | Asymmetrisch | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Gehäusegröße | TSOP | |
| Pinanzahl | 54 | |
| Abmessungen | 22.51 x 10.26 x 1.05mm | |
| Höhe | 1.05mm | |
| Arbeitsspannnung max. | 3,6 V | |
| Betriebstemperatur max. | +85 °C | |
| Länge | 22.51mm | |
| Breite | 10.26mm | |
| Betriebstemperatur min. | –40 °C | |
| Arbeitsspannnung min. | 2,2 V | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Cypress Semiconductor | ||
Speicher Größe 16MBit | ||
Organisation 2M x 8 bit | ||
Anzahl der Wörter 2M | ||
Anzahl der Bits pro Wort 8bit | ||
Zugriffszeit max. 10ns | ||
Taktfrequenz 100MHz | ||
Timing Typ Asymmetrisch | ||
Montage-Typ SMD | ||
Gehäusegröße TSOP | ||
Pinanzahl 54 | ||
Abmessungen 22.51 x 10.26 x 1.05mm | ||
Höhe 1.05mm | ||
Arbeitsspannnung max. 3,6 V | ||
Betriebstemperatur max. +85 °C | ||
Länge 22.51mm | ||
Breite 10.26mm | ||
Betriebstemperatur min. –40 °C | ||
Arbeitsspannnung min. 2,2 V | ||
Hohe Geschwindigkeit
TAA = 10 ns
Integrierter Fehlerkorrekturcode (ECC) für Einzelbit-Fehlerkorrektur
Niedriger Wirk- und Standby-Strom
ICC = 90 mA (typisch) bei 100 MHz
ISB2 = 20 mA (typisch)
Betriebsspannungsbereich: 1,65 V bis 2,2 V, 2,2 V bis 3,6 V, 4,5 V bis 5,5 V
1,0-V-Datenspeicherung
Kompatible Ein- und Ausgänge zur Transistor-Transistor-Logik (TTL)
ERR-Stift zur Anzeige der 1-Bit-Fehlererkennung und -korrektur
Erhältlich in bleifreien 54-poligen TSOP II- und 48-Ball-VFBGA-Gehäusen
TAA = 10 ns
Integrierter Fehlerkorrekturcode (ECC) für Einzelbit-Fehlerkorrektur
Niedriger Wirk- und Standby-Strom
ICC = 90 mA (typisch) bei 100 MHz
ISB2 = 20 mA (typisch)
Betriebsspannungsbereich: 1,65 V bis 2,2 V, 2,2 V bis 3,6 V, 4,5 V bis 5,5 V
1,0-V-Datenspeicherung
Kompatible Ein- und Ausgänge zur Transistor-Transistor-Logik (TTL)
ERR-Stift zur Anzeige der 1-Bit-Fehlererkennung und -korrektur
Erhältlich in bleifreien 54-poligen TSOP II- und 48-Ball-VFBGA-Gehäusen