Cypress Semiconductor 4MBit SRAM-Speicherbaustein 256k 100MHz, 16bit / Wort, SOJ 44-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 182-3291
- Herst. Teile-Nr.:
- CY7C1041G30-10VXI
- Marke:
- Cypress Semiconductor
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
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- 182-3291
- Herst. Teile-Nr.:
- CY7C1041G30-10VXI
- Marke:
- Cypress Semiconductor
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Cypress Semiconductor | |
| Speicher Größe | 4MBit | |
| Organisation | 256 k x 16 Bit | |
| Anzahl der Wörter | 256k | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 16bit | |
| Zugriffszeit max. | 10ns | |
| Taktfrequenz | 100MHz | |
| Timing Typ | Asymmetrisch | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Gehäusegröße | SOJ | |
| Pinanzahl | 44 | |
| Abmessungen | 1.13 x 0.405 x 0.11Zoll | |
| Arbeitsspannnung max. | 3,6 V | |
| Höhe | 2.79mm | |
| Arbeitsspannnung min. | 2,2 V | |
| Länge | 28.7mm | |
| Breite | 10.29mm | |
| Betriebstemperatur max. | +85 °C | |
| Betriebstemperatur min. | –40 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Cypress Semiconductor | ||
Speicher Größe 4MBit | ||
Organisation 256 k x 16 Bit | ||
Anzahl der Wörter 256k | ||
Anzahl der Bits pro Wort 16bit | ||
Zugriffszeit max. 10ns | ||
Taktfrequenz 100MHz | ||
Timing Typ Asymmetrisch | ||
Montage-Typ SMD | ||
Gehäusegröße SOJ | ||
Pinanzahl 44 | ||
Abmessungen 1.13 x 0.405 x 0.11Zoll | ||
Arbeitsspannnung max. 3,6 V | ||
Höhe 2.79mm | ||
Arbeitsspannnung min. 2,2 V | ||
Länge 28.7mm | ||
Breite 10.29mm | ||
Betriebstemperatur max. +85 °C | ||
Betriebstemperatur min. –40 °C | ||
- Ursprungsland:
- US
Hohe Geschwindigkeit
tAA = 10 ns / 15 ns
Integrierter ECC für Einzelbit-Fehlerkorrektur [1, 2]
Niedriger Wirk- und Standby-Strom
Wirkstrom: ICC = 38 mA (typisch)
Standby-Strom: ISB2 = 6 mA (typisch)
Betriebsspannungsbereich: 1,65 V bis 2,2 V, 2,2 V bis 3,6 V und 4,5 V bis 5,5 V
1,0-V-Datenspeicherung
TTL-kompatible Ein- und Ausgänge
Fehleranzeige-Stift (ERR) zeigt Erkennung und Korrektur von 1-Bit-Fehlern an
PB-freie 44-polige SOJ-, 44-polige TSOP II- und 48-Ball-VFBGA-Gehäuse
tAA = 10 ns / 15 ns
Integrierter ECC für Einzelbit-Fehlerkorrektur [1, 2]
Niedriger Wirk- und Standby-Strom
Wirkstrom: ICC = 38 mA (typisch)
Standby-Strom: ISB2 = 6 mA (typisch)
Betriebsspannungsbereich: 1,65 V bis 2,2 V, 2,2 V bis 3,6 V und 4,5 V bis 5,5 V
1,0-V-Datenspeicherung
TTL-kompatible Ein- und Ausgänge
Fehleranzeige-Stift (ERR) zeigt Erkennung und Korrektur von 1-Bit-Fehlern an
PB-freie 44-polige SOJ-, 44-polige TSOP II- und 48-Ball-VFBGA-Gehäuse