Infineon 4MBit SRAM-Speicherbaustein 256k 100MHz, 16bit / Wort, BGA 48-Pin

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RS Best.-Nr.:
182-3294
Herst. Teile-Nr.:
CY7C1041GN30-10BVXI
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Speicher Größe

4MBit

Organisation

256 k x 16 Bit

Anzahl der Wörter

256k

Anzahl der Bits pro Wort

16bit

Zugriffszeit max.

10ns

Taktfrequenz

100MHz

Timing Typ

Asymmetrisch

Montage-Typ

SMD

Gehäusegröße

BGA

Pinanzahl

48

Abmessungen

8 x 6 x 0.79mm

Arbeitsspannnung max.

3,6 V

Höhe

0.79mm

Arbeitsspannnung min.

2,2 V

Breite

6mm

Betriebstemperatur min.

–40 °C

Betriebstemperatur max.

+85 °C

Länge

8mm

Ursprungsland:
TH
Hohe Geschwindigkeit
TAA = 10 ns / 15 ns
Niedriger Wirk- und Standby-Strom
Wirkstrom: ICC = 38 mA typisch
Standby-Strom: ISB2 = 6 mA typisch
Betriebsspannungsbereich: 1,65 V bis 2,2 V, 2,2 V bis 3,6 V und 4,5 V bis 5,5 V
1,0-V-Datenspeicherung
TTL-kompatible Ein- und Ausgänge
PB-freie 44-polige SOJ-, 44-polige TSOP II- und 48-Ball-VFBGA-Gehäuse