Cypress Semiconductor 1MBit SRAM-Speicherbaustein 64k, 16bit / Wort
- RS Best.-Nr.:
- 182-3336
- Herst. Teile-Nr.:
- CY7C1021DV33-10BVXI
- Marke:
- Cypress Semiconductor
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
- RS Best.-Nr.:
- 182-3336
- Herst. Teile-Nr.:
- CY7C1021DV33-10BVXI
- Marke:
- Cypress Semiconductor
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Cypress Semiconductor | |
| Speicher Größe | 1MBit | |
| Organisation | 64 K x 16 | |
| Anzahl der Wörter | 64k | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 16bit | |
| Zugriffszeit max. | 10ns | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Cypress Semiconductor | ||
Speicher Größe 1MBit | ||
Organisation 64 K x 16 | ||
Anzahl der Wörter 64k | ||
Anzahl der Bits pro Wort 16bit | ||
Zugriffszeit max. 10ns | ||
Temperaturbereiche
Industrie: –40 °C bis 85 °C
KFZ-A: -40 °C bis 85 °C.
Stift- und funktionskompatibel mit CY7C1021CV33
Hohe Geschwindigkeit
tAA = 10 ns
Niedrige Wirkleistung
ICC = 60 mA @ 10 ns
Geringe CMOS-Standby-Leistung
ISB2 = 3 mA
2,0 V Data Ret
Automatische Abschaltung bei Deaktivierung
CMOS für optimale Geschwindigkeit/Leistung
Unabhängige Steuerung der oberen und unteren Bits
Erhältlich in Pb-freien 44-poligen 400-mil-weit geformten SOJ-, 44-poligen TSOP II- und 48-Ball-VFBGA-Gehäusen
Industrie: –40 °C bis 85 °C
KFZ-A: -40 °C bis 85 °C.
Stift- und funktionskompatibel mit CY7C1021CV33
Hohe Geschwindigkeit
tAA = 10 ns
Niedrige Wirkleistung
ICC = 60 mA @ 10 ns
Geringe CMOS-Standby-Leistung
ISB2 = 3 mA
2,0 V Data Ret
Automatische Abschaltung bei Deaktivierung
CMOS für optimale Geschwindigkeit/Leistung
Unabhängige Steuerung der oberen und unteren Bits
Erhältlich in Pb-freien 44-poligen 400-mil-weit geformten SOJ-, 44-poligen TSOP II- und 48-Ball-VFBGA-Gehäusen