Cypress Semiconductor 1MBit LowPower SRAM-Speicherbaustein 128k 1MHz, 8bit / Wort 8bit, TSOP 44-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 188-5302
- Herst. Teile-Nr.:
- CY14B101LA-ZS25XI
- Marke:
- Cypress Semiconductor
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Nicht verfügbar
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- RS Best.-Nr.:
- 188-5302
- Herst. Teile-Nr.:
- CY14B101LA-ZS25XI
- Marke:
- Cypress Semiconductor
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Cypress Semiconductor | |
| Speicher Größe | 1MBit | |
| Organisation | 128.000 x 8 Bit | |
| Anzahl der Wörter | 128k | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 8bit | |
| Zugriffszeit max. | 25ns | |
| Adressbusbreite | 8bit | |
| Taktfrequenz | 1MHz | |
| Low Power | Ja | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Gehäusegröße | TSOP | |
| Pinanzahl | 44 | |
| Abmessungen | 18.51 x 10.26 x 1.04mm | |
| Arbeitsspannnung max. | 3,6 V | |
| Höhe | 1.04mm | |
| Breite | 10.26mm | |
| Arbeitsspannnung min. | 2,7 V | |
| Länge | 18.51mm | |
| Betriebstemperatur max. | +85 °C | |
| Betriebstemperatur min. | –40 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Cypress Semiconductor | ||
Speicher Größe 1MBit | ||
Organisation 128.000 x 8 Bit | ||
Anzahl der Wörter 128k | ||
Anzahl der Bits pro Wort 8bit | ||
Zugriffszeit max. 25ns | ||
Adressbusbreite 8bit | ||
Taktfrequenz 1MHz | ||
Low Power Ja | ||
Montage-Typ SMD | ||
Gehäusegröße TSOP | ||
Pinanzahl 44 | ||
Abmessungen 18.51 x 10.26 x 1.04mm | ||
Arbeitsspannnung max. 3,6 V | ||
Höhe 1.04mm | ||
Breite 10.26mm | ||
Arbeitsspannnung min. 2,7 V | ||
Länge 18.51mm | ||
Betriebstemperatur max. +85 °C | ||
Betriebstemperatur min. –40 °C | ||
- Ursprungsland:
- US
20 ns, 25 ns und 45 ns Zugriffszeiten
Intern organisiert als 128 K ´ 8 (CY14B101LA) oder 64 K ´ 16 (CY14B101NA)
Automatische STORE-Funktion beim Ausschalten mit nur einem kleinen Kondensator
Speicherung auf Quantum-Trap Nicht flüchtige Elemente, die durch Software, Gerätestift oder automatische Speicherung beim Ausschalten ausgelöst werden
Aufruf an SRAM durch Software oder Einschalten
Unendliche Lese-, Schreib- und RECALL-Zyklen
1 Million STORE-Zyklen für Quantum-Trap
20 Jahre Datenspeicherung
Einfacher Betrieb mit 3 V +20 % bis -10 %
Industrietemperatur
Gehäuse
32-poliger, kleiner integrierter Schaltkreis (SOIC)
44-/54-poliges dünnes Small Outline Package (TSOP) Typ II
48-poliges Schrumpfschlauchgehäuse (SSOP)
FBGA (48-Ball Fine Pitch Ball Grid Array)
Bleifrei
Intern organisiert als 128 K ´ 8 (CY14B101LA) oder 64 K ´ 16 (CY14B101NA)
Automatische STORE-Funktion beim Ausschalten mit nur einem kleinen Kondensator
Speicherung auf Quantum-Trap Nicht flüchtige Elemente, die durch Software, Gerätestift oder automatische Speicherung beim Ausschalten ausgelöst werden
Aufruf an SRAM durch Software oder Einschalten
Unendliche Lese-, Schreib- und RECALL-Zyklen
1 Million STORE-Zyklen für Quantum-Trap
20 Jahre Datenspeicherung
Einfacher Betrieb mit 3 V +20 % bis -10 %
Industrietemperatur
Gehäuse
32-poliger, kleiner integrierter Schaltkreis (SOIC)
44-/54-poliges dünnes Small Outline Package (TSOP) Typ II
48-poliges Schrumpfschlauchgehäuse (SSOP)
FBGA (48-Ball Fine Pitch Ball Grid Array)
Bleifrei