Cypress Semiconductor 1MBit LowPower SRAM-Speicherbaustein 128k 1MHz, 8bit / Wort 16bit, TSOP 44-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 188-5316
- Herst. Teile-Nr.:
- CY62126EV30LL-45ZSXI
- Marke:
- Cypress Semiconductor
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
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- 188-5316
- Herst. Teile-Nr.:
- CY62126EV30LL-45ZSXI
- Marke:
- Cypress Semiconductor
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Cypress Semiconductor | |
| Speicher Größe | 1MBit | |
| Organisation | 128.000 x 8 Bit | |
| Anzahl der Wörter | 128k | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 8bit | |
| Zugriffszeit max. | 45ns | |
| Adressbusbreite | 16bit | |
| Taktfrequenz | 1MHz | |
| Low Power | Ja | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Gehäusegröße | TSOP | |
| Pinanzahl | 44 | |
| Abmessungen | 18.51 x 10.26 x 1.04mm | |
| Arbeitsspannnung max. | 3,6 V | |
| Höhe | 1.04mm | |
| Betriebstemperatur max. | +85 °C | |
| Länge | 18.51mm | |
| Betriebstemperatur min. | –40 °C | |
| Breite | 10.26mm | |
| Arbeitsspannnung min. | 2,2 V | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Cypress Semiconductor | ||
Speicher Größe 1MBit | ||
Organisation 128.000 x 8 Bit | ||
Anzahl der Wörter 128k | ||
Anzahl der Bits pro Wort 8bit | ||
Zugriffszeit max. 45ns | ||
Adressbusbreite 16bit | ||
Taktfrequenz 1MHz | ||
Low Power Ja | ||
Montage-Typ SMD | ||
Gehäusegröße TSOP | ||
Pinanzahl 44 | ||
Abmessungen 18.51 x 10.26 x 1.04mm | ||
Arbeitsspannnung max. 3,6 V | ||
Höhe 1.04mm | ||
Betriebstemperatur max. +85 °C | ||
Länge 18.51mm | ||
Betriebstemperatur min. –40 °C | ||
Breite 10.26mm | ||
Arbeitsspannnung min. 2,2 V | ||
- Ursprungsland:
- US
Hohe Geschwindigkeit: 45 ns
Temperaturbereiche
Industrie: -40 °C bis +85 °C.
KFZ-A: -40 °C bis +85 °C.
KFZ-E: -40 °C bis +125 °C.
Großer Spannungsbereich: 2,2 V bis 3,6 V
PIN kompatibel mit CY62126DV30
Extrem niedrige Standby-Leistung
Typischer Standby-Strom: 1 μA
Maximaler Standby-Strom: 4 μA
Extrem niedrige Wirkleistung
Typischer Wirkstrom: 1,3 mA bei f = 1 MHz
Einfache Speichererweiterung mit CE- und OE-Funktionen
Automatische Abschaltung bei Deaktivierung
Komplementärer Metalloxid-Halbleiter (CMOS) für optimale Geschwindigkeit und Leistung
Erhältlich in Pb-freien 48-Ball-VFBGA-Gehäusen mit sehr feinem Rastermaß und 44-poligen dünnen TSOP-II-Gehäusen (Small Outline Package)
Temperaturbereiche
Industrie: -40 °C bis +85 °C.
KFZ-A: -40 °C bis +85 °C.
KFZ-E: -40 °C bis +125 °C.
Großer Spannungsbereich: 2,2 V bis 3,6 V
PIN kompatibel mit CY62126DV30
Extrem niedrige Standby-Leistung
Typischer Standby-Strom: 1 μA
Maximaler Standby-Strom: 4 μA
Extrem niedrige Wirkleistung
Typischer Wirkstrom: 1,3 mA bei f = 1 MHz
Einfache Speichererweiterung mit CE- und OE-Funktionen
Automatische Abschaltung bei Deaktivierung
Komplementärer Metalloxid-Halbleiter (CMOS) für optimale Geschwindigkeit und Leistung
Erhältlich in Pb-freien 48-Ball-VFBGA-Gehäusen mit sehr feinem Rastermaß und 44-poligen dünnen TSOP-II-Gehäusen (Small Outline Package)
