Infineon 2MBit LowPower SRAM-Speicherbaustein 128k 1MHz, 16bit / Wort 16bit, TSOP 44-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 188-5321
- Herst. Teile-Nr.:
- CY62136EV30LL-45ZSXI
- Marke:
- Cypress Semiconductor
Nicht verfügbar
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- RS Best.-Nr.:
- 188-5321
- Herst. Teile-Nr.:
- CY62136EV30LL-45ZSXI
- Marke:
- Cypress Semiconductor
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Cypress Semiconductor | |
| Speicher Größe | 2MBit | |
| Organisation | 128 k x 16 Bit | |
| Anzahl der Wörter | 128k | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 16bit | |
| Zugriffszeit max. | 45ns | |
| Adressbusbreite | 16bit | |
| Taktfrequenz | 1MHz | |
| Low Power | Ja | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Gehäusegröße | TSOP | |
| Pinanzahl | 44 | |
| Abmessungen | 18.51 x 10.26 x 1.04mm | |
| Höhe | 1.04mm | |
| Arbeitsspannnung max. | 3,6 V | |
| Betriebstemperatur max. | +85 °C | |
| Länge | 18.51mm | |
| Breite | 10.26mm | |
| Betriebstemperatur min. | –40 °C | |
| Arbeitsspannnung min. | 2,2 V | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Cypress Semiconductor | ||
Speicher Größe 2MBit | ||
Organisation 128 k x 16 Bit | ||
Anzahl der Wörter 128k | ||
Anzahl der Bits pro Wort 16bit | ||
Zugriffszeit max. 45ns | ||
Adressbusbreite 16bit | ||
Taktfrequenz 1MHz | ||
Low Power Ja | ||
Montage-Typ SMD | ||
Gehäusegröße TSOP | ||
Pinanzahl 44 | ||
Abmessungen 18.51 x 10.26 x 1.04mm | ||
Höhe 1.04mm | ||
Arbeitsspannnung max. 3,6 V | ||
Betriebstemperatur max. +85 °C | ||
Länge 18.51mm | ||
Breite 10.26mm | ||
Betriebstemperatur min. –40 °C | ||
Arbeitsspannnung min. 2,2 V | ||
- Ursprungsland:
- US
Sehr hohe Geschwindigkeit: 45 ns
Großer Spannungsbereich: 2,20 V bis 3,60 V
PIN kompatibel mit CY62136CV30
Extrem niedrige Standby-Leistung
Typischer Standby-Strom: 1 μA
Maximaler Standby-Strom: 7 μA
Extrem niedrige Wirkleistung
Typischer Wirkstrom: 2 mA bei f = 1 MHz
Einfache Speichererweiterung mit CE- und OE-Funktionen
Automatische Abschaltung bei Deaktivierung
Komplementärer Metalloxid-Halbleiter (CMOS) für optimale Geschwindigkeit/Leistung
Erhältlich in einem Pb-freien 48-Ball sehr feinen Kugelraster-Array (VFBGA) und 44-poligen dünnen Small Outline Package (TSOP II)-Gehäusen
Großer Spannungsbereich: 2,20 V bis 3,60 V
PIN kompatibel mit CY62136CV30
Extrem niedrige Standby-Leistung
Typischer Standby-Strom: 1 μA
Maximaler Standby-Strom: 7 μA
Extrem niedrige Wirkleistung
Typischer Wirkstrom: 2 mA bei f = 1 MHz
Einfache Speichererweiterung mit CE- und OE-Funktionen
Automatische Abschaltung bei Deaktivierung
Komplementärer Metalloxid-Halbleiter (CMOS) für optimale Geschwindigkeit/Leistung
Erhältlich in einem Pb-freien 48-Ball sehr feinen Kugelraster-Array (VFBGA) und 44-poligen dünnen Small Outline Package (TSOP II)-Gehäusen
