Infineon 16MBit LowPower SRAM-Speicherbaustein 2M 1MHz, 8bit / Wort 16bit, VFBGA 48-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 188-5330
- Herst. Teile-Nr.:
- CY62167EV30LL-45BVXI
- Marke:
- Cypress Semiconductor
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
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- 188-5330
- Herst. Teile-Nr.:
- CY62167EV30LL-45BVXI
- Marke:
- Cypress Semiconductor
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Cypress Semiconductor | |
| Speicher Größe | 16MBit | |
| Organisation | 2M x 8 bit | |
| Anzahl der Wörter | 2M | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 8bit | |
| Zugriffszeit max. | 45ns | |
| Adressbusbreite | 16bit | |
| Taktfrequenz | 1MHz | |
| Low Power | Ja | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Gehäusegröße | VFBGA | |
| Pinanzahl | 48 | |
| Abmessungen | 8 x 6 x 0.55mm | |
| Höhe | 0.55mm | |
| Arbeitsspannnung max. | 3,6 V | |
| Länge | 8mm | |
| Betriebstemperatur min. | –40 °C | |
| Arbeitsspannnung min. | 2,2 V | |
| Betriebstemperatur max. | +85 °C | |
| Breite | 6mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Cypress Semiconductor | ||
Speicher Größe 16MBit | ||
Organisation 2M x 8 bit | ||
Anzahl der Wörter 2M | ||
Anzahl der Bits pro Wort 8bit | ||
Zugriffszeit max. 45ns | ||
Adressbusbreite 16bit | ||
Taktfrequenz 1MHz | ||
Low Power Ja | ||
Montage-Typ SMD | ||
Gehäusegröße VFBGA | ||
Pinanzahl 48 | ||
Abmessungen 8 x 6 x 0.55mm | ||
Höhe 0.55mm | ||
Arbeitsspannnung max. 3,6 V | ||
Länge 8mm | ||
Betriebstemperatur min. –40 °C | ||
Arbeitsspannnung min. 2,2 V | ||
Betriebstemperatur max. +85 °C | ||
Breite 6mm | ||
TSOP I-Gehäuse konfigurierbar als 1 M x 16 oder 2 M x 8 SRAM
Sehr hohe Geschwindigkeit: 45 ns
Temperaturbereiche
Industrie: -40 °C bis +85 °C.
Großer Spannungsbereich: 2,20 V bis 3,60 V
Extrem niedrige Standby-Leistung
Typischer Standby-Strom: 1,5 μA
Maximaler Standby-Strom: 12 μA
Extrem niedrige Wirkleistung
Typischer Wirkstrom: 7 mA bei f = 1 MHz
Einfache Speichererweiterung mit CE1-, CE2- und OE-Funktionen
Automatische Abschaltung bei Deaktivierung
CMOS für optimale Geschwindigkeit und Leistung
Erhältlich in bleifreien 48-Ball-VFBGA- und 48-poligen TSOP-I-Gehäusen
Sehr hohe Geschwindigkeit: 45 ns
Temperaturbereiche
Industrie: -40 °C bis +85 °C.
Großer Spannungsbereich: 2,20 V bis 3,60 V
Extrem niedrige Standby-Leistung
Typischer Standby-Strom: 1,5 μA
Maximaler Standby-Strom: 12 μA
Extrem niedrige Wirkleistung
Typischer Wirkstrom: 7 mA bei f = 1 MHz
Einfache Speichererweiterung mit CE1-, CE2- und OE-Funktionen
Automatische Abschaltung bei Deaktivierung
CMOS für optimale Geschwindigkeit und Leistung
Erhältlich in bleifreien 48-Ball-VFBGA- und 48-poligen TSOP-I-Gehäusen