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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Cypress Semiconductor
	Speicher Größe	8MBit
	Organisation	512 KB x 16 bit
	Anzahl der Wörter	512k
	Anzahl der Bits pro Wort	16bit
	Zugriffszeit max.	10ns
	Adressbusbreite	16bit
	Taktfrequenz	100MHz
	Timing Typ	Asymmetrisch
	Montage-Typ	SMD
	Gehäusegröße	TSOP
	Pinanzahl	44
	Abmessungen	18.51 x 10.26 x 1.04mm
	Höhe	1.04mm
	Arbeitsspannnung max.	3,6 V
	Betriebstemperatur max.	+85 °C
	Länge	18.51mm
	Betriebstemperatur min.	–40 °C
	Breite	10.26mm
	Arbeitsspannnung min.	3 V

	Alle auswählen
	Marke Cypress Semiconductor
	Speicher Größe 8MBit
	Organisation 512 KB x 16 bit
	Anzahl der Wörter 512k
	Anzahl der Bits pro Wort 16bit
	Zugriffszeit max. 10ns
	Adressbusbreite 16bit
	Taktfrequenz 100MHz
	Timing Typ Asymmetrisch
	Montage-Typ SMD
	Gehäusegröße TSOP
	Pinanzahl 44
	Abmessungen 18.51 x 10.26 x 1.04mm
	Höhe 1.04mm
	Arbeitsspannnung max. 3,6 V
	Betriebstemperatur max. +85 °C
	Länge 18.51mm
	Betriebstemperatur min. –40 °C
	Breite 10.26mm
	Arbeitsspannnung min. 3 V

Datasheet CY7C1051DV33-10ZSXI

Ursprungsland:: US

Temperaturbereiche
-40 °C bis 85 °C.
Hohe Geschwindigkeit
TAA = 10 ns
Niedrige Wirkleistung
ICC = 110 mA bei f = 100 MHz
Geringe CMOS-Standby-Leistung
ISB2 = 20 mA
2,0-V-Datenspeicherung
Automatische Abschaltung bei Deaktivierung
TTL-kompatible Eingänge und Ausgänge (Transistor-Transistor-Logik)
Einfache Speichererweiterung mit CE- und OE-Funktionen
Erhältlich in Pb-freien 48-Ball Fine Ball Grid Array (FBGA) und 44-poligen dünnen Small Outline Package (TSOP) II-Gehäusen

Cypress Semiconductor 8MBit SRAM-Speicherbaustein 512k 100MHz, 16bit / Wort 16bit, TSOP 44-Pin