Cypress Semiconductor 1MBit SRAM-Speicherbaustein 128k 100MHz, 8bit / Wort, SOJ 28-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 188-5338
- Herst. Teile-Nr.:
- CY7C107D-10VXI
- Marke:
- Cypress Semiconductor
Zwischensumme (1 Stange mit 26 Stück)*
475,202 €
(ohne MwSt.)
565,50 €
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Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 26 + | 18,277 € | 475,20 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 188-5338
- Herst. Teile-Nr.:
- CY7C107D-10VXI
- Marke:
- Cypress Semiconductor
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Cypress Semiconductor | |
| Speicher Größe | 1MBit | |
| Organisation | 128.000 x 8 Bit | |
| Anzahl der Wörter | 128k | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 8bit | |
| Zugriffszeit max. | 10ns | |
| Taktfrequenz | 100MHz | |
| Timing Typ | Asymmetrisch | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Gehäusegröße | SOJ | |
| Pinanzahl | 28 | |
| Abmessungen | 0.73 x 0.405 x 0.11mm | |
| Arbeitsspannnung max. | 5,5 V | |
| Höhe | 0.11mm | |
| Breite | 0.41mm | |
| Betriebstemperatur max. | +85 °C | |
| Arbeitsspannnung min. | 4,5 V | |
| Länge | 0.73mm | |
| Betriebstemperatur min. | –40 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Cypress Semiconductor | ||
Speicher Größe 1MBit | ||
Organisation 128.000 x 8 Bit | ||
Anzahl der Wörter 128k | ||
Anzahl der Bits pro Wort 8bit | ||
Zugriffszeit max. 10ns | ||
Taktfrequenz 100MHz | ||
Timing Typ Asymmetrisch | ||
Montage-Typ SMD | ||
Gehäusegröße SOJ | ||
Pinanzahl 28 | ||
Abmessungen 0.73 x 0.405 x 0.11mm | ||
Arbeitsspannnung max. 5,5 V | ||
Höhe 0.11mm | ||
Breite 0.41mm | ||
Betriebstemperatur max. +85 °C | ||
Arbeitsspannnung min. 4,5 V | ||
Länge 0.73mm | ||
Betriebstemperatur min. –40 °C | ||
- Ursprungsland:
- US
Stift- und funktionskompatibel mit CY7C107B/CY7C1007B.
Hohe Geschwindigkeit
TAA = 10 ns
Niedrige Wirkleistung
ICC = 80 mA @ 10 ns
Geringe komplementäre Metalloxid-Halbleiter-(CMOS)-Standby-Leistung
ISB2 = 3 mA
2,0 V Data Ret
Automatische Abschaltung bei Deaktivierung
CMOS für optimale Geschwindigkeit/Leistung
TTL-kompatible (Transistor Transistor Transistor Logic) Ein- und Ausgänge
CY7C107D erhältlich in Pb-freiem 28-poligem 400-mil-breitem gegossenem SOJ-Gehäuse. CY7C1007D erhältlich in Pb-freiem 28-poligem 300-mil-breitem gegossenem SOJ-Gehäuse
Hohe Geschwindigkeit
TAA = 10 ns
Niedrige Wirkleistung
ICC = 80 mA @ 10 ns
Geringe komplementäre Metalloxid-Halbleiter-(CMOS)-Standby-Leistung
ISB2 = 3 mA
2,0 V Data Ret
Automatische Abschaltung bei Deaktivierung
CMOS für optimale Geschwindigkeit/Leistung
TTL-kompatible (Transistor Transistor Transistor Logic) Ein- und Ausgänge
CY7C107D erhältlich in Pb-freiem 28-poligem 400-mil-breitem gegossenem SOJ-Gehäuse. CY7C1007D erhältlich in Pb-freiem 28-poligem 300-mil-breitem gegossenem SOJ-Gehäuse