Cypress Semiconductor 256kbit LowPower SRAM-Speicherbaustein 32k 1MHz, 8bit / Wort 8bit, TSOP I 28-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 193-8458
- Herst. Teile-Nr.:
- CY62256NLL-55ZXIT
- Marke:
- Cypress Semiconductor
Nicht verfügbar
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- Marke:
- Cypress Semiconductor
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Cypress Semiconductor | |
| Speicher Größe | 256kbit | |
| Organisation | 32 K x 8 bit | |
| Anzahl der Wörter | 32k | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 8bit | |
| Zugriffszeit max. | 55ns | |
| Adressbusbreite | 8bit | |
| Taktfrequenz | 1MHz | |
| Low Power | Ja | |
| Timing Typ | Asymmetrisch | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Gehäusegröße | TSOP I | |
| Pinanzahl | 28 | |
| Abmessungen | 11.9 x 8.1 x 1mm | |
| Arbeitsspannnung max. | 5,5 V | |
| Höhe | 1mm | |
| Arbeitsspannnung min. | 4,5 V | |
| Betriebstemperatur min. | –40 °C | |
| Breite | 8.1mm | |
| Betriebstemperatur max. | +85 °C | |
| Länge | 11.9mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Cypress Semiconductor | ||
Speicher Größe 256kbit | ||
Organisation 32 K x 8 bit | ||
Anzahl der Wörter 32k | ||
Anzahl der Bits pro Wort 8bit | ||
Zugriffszeit max. 55ns | ||
Adressbusbreite 8bit | ||
Taktfrequenz 1MHz | ||
Low Power Ja | ||
Timing Typ Asymmetrisch | ||
Montage-Typ SMD | ||
Gehäusegröße TSOP I | ||
Pinanzahl 28 | ||
Abmessungen 11.9 x 8.1 x 1mm | ||
Arbeitsspannnung max. 5,5 V | ||
Höhe 1mm | ||
Arbeitsspannnung min. 4,5 V | ||
Betriebstemperatur min. –40 °C | ||
Breite 8.1mm | ||
Betriebstemperatur max. +85 °C | ||
Länge 11.9mm | ||
Temperaturbereiche
Gewerblich: 0 °C bis +70 °C.
Industrie: -40 °C bis +85 °C.
KFZ-A: -40 °C bis +85 °C.
KFZ-E: -40 °C bis +125 °C.
Hohe Geschwindigkeit: 55 ns
Spannungsbereich: 4,5 V bis 5,5 V Betrieb
Niedrige Wirkleistung
275 mW (max.)
Niedrige Standby-Leistung (LL-Version)
82,5 W (max.)
Einfache Speichererweiterung mit CE- und OE-Funktionen
TTL-kompatible Ein- und Ausgänge
Automatische Abschaltung bei Deaktivierung
CMOS für optimale Geschwindigkeit und Leistung
Erhältlich in Pb-freien und nicht-Pb-freien 28-poligen (600-mil) PDIP-, 28-poligen (300-mil) schmalen SOIC-, 28-poligen TSOP I- und 28-poligen umgekehrten TSOP I-Gehäusen
Gewerblich: 0 °C bis +70 °C.
Industrie: -40 °C bis +85 °C.
KFZ-A: -40 °C bis +85 °C.
KFZ-E: -40 °C bis +125 °C.
Hohe Geschwindigkeit: 55 ns
Spannungsbereich: 4,5 V bis 5,5 V Betrieb
Niedrige Wirkleistung
275 mW (max.)
Niedrige Standby-Leistung (LL-Version)
82,5 W (max.)
Einfache Speichererweiterung mit CE- und OE-Funktionen
TTL-kompatible Ein- und Ausgänge
Automatische Abschaltung bei Deaktivierung
CMOS für optimale Geschwindigkeit und Leistung
Erhältlich in Pb-freien und nicht-Pb-freien 28-poligen (600-mil) PDIP-, 28-poligen (300-mil) schmalen SOIC-, 28-poligen TSOP I- und 28-poligen umgekehrten TSOP I-Gehäusen