Infineon 1MBit SRAM-Speicherbaustein 64k 1MHz, 16bit / Wort 16bit, SOJ 44-Pin

Dieses Gerät verfügt über eine automatische Abschaltfunktion, die den Stromverbrauch bei Abwahl deutlich reduziert. Das Schreiben auf das Gerät erfolgt durch die Eingabe von Chip Enable (CE) und Write Enable (WE) LOW. Wenn Byte Low Enable (BLE) LOW ist, werden Daten von E/A-Pins (E/A0 bis E/A7) an die auf den Adressstiften angegebene Position geschrieben (A0 bis A15). Wenn Byte High Enable (BHE) LOW ist, werden Daten von E/A-Pins (E/A8 bis E/A15) an die auf den Adressstiften angegebene Position geschrieben (A0 bis A15). Das Lesen vom Gerät erfolgt durch die Übernahme von Chip Enable (CE) und Output Enable (OE) LOW bei gleichzeitiger Erzwingen der Write Enable (WE) HIGH. Wenn Byte Low Enable (BLE) LOW ist, werden Daten vom durch die Adressstifte angegebenen Speicherplatz auf E/A0 bis E/A7 angezeigt. Wenn Byte High Enable (BHE) LOW ist, werden Daten aus dem Speicher auf E/A8 bis E/A15 angezeigt. Eine vollständige Beschreibung der Lese- und Schreibmodi finden Sie in der Wahrheitstabelle am Ende dieses Datenblatts.