Cypress Semiconductor, CY7C1399BN-12VXI
- RS Best.-Nr.:
- 194-8959
- Herst. Teile-Nr.:
- CY7C1399BN-12VXI
- Marke:
- Infineon
Bestandsabfrage aktuell nicht möglich
- RS Best.-Nr.:
- 194-8959
- Herst. Teile-Nr.:
- CY7C1399BN-12VXI
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Speicher Größe | 256kbit | |
| Organisation | 32 K x 8 | |
| Anzahl der Wörter | 32k | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 8bit | |
| Zugriffszeit max. | 12ns | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Speicher Größe 256kbit | ||
Organisation 32 K x 8 | ||
Anzahl der Wörter 32k | ||
Anzahl der Bits pro Wort 8bit | ||
Zugriffszeit max. 12ns | ||
Der Cypress Semiconductor CY7C1399BN ist ein leistungsstarker statischer 3,3-V-CMOS-RAM, der als 32.768 Wörter mit 8 Bit organisiert ist. Eine einfache Speichererweiterung wird durch eine aktive Low-Chip-Aktivierung und aktive Low-Output-Aktivierung und Tri-State-Treiber ermöglicht.
Einfaches 3,3-V-Netzteil
Ideal für Niederspannungs-Cache-Speicheranwendungen
Niedrige Wirkleistung
Energiesparende Alpha-immune 6T-Zelle
Erhältlich in pb- und nicht pb-freien Kunststoff-SOJ- und TSOP-I-Gehäusen
Ideal für Niederspannungs-Cache-Speicheranwendungen
Niedrige Wirkleistung
Energiesparende Alpha-immune 6T-Zelle
Erhältlich in pb- und nicht pb-freien Kunststoff-SOJ- und TSOP-I-Gehäusen
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