Microchip 64kbit LowPower SRAM 8k 1MHz, 8bit / Wort, 2,7 V bis 3,6 V, SOIC-8 8-Pin

Eingestellt
RS Best.-Nr.:
215-5864
Herst. Teile-Nr.:
47L64-I/SN
Marke:
Microchip
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Microchip

Speicher Größe

64kbit

Organisation

8 K x 8 bit

Anzahl der Wörter

8k

Anzahl der Bits pro Wort

8bit

Zugriffszeit max.

550ns

Taktfrequenz

1MHz

Low Power

Ja

Timing Typ

Synchron

Montage-Typ

SMD

Gehäusegröße

SOIC-8

Pinanzahl

8

Abmessungen

4.9 x 3.9 x 1.5mm

Arbeitsspannnung max.

3,6 V

Höhe

1.5mm

Breite

3.9mm

Länge

4.9mm

Betriebstemperatur max.

+85 °C

Arbeitsspannnung min.

2,7 V

Betriebstemperatur min.

–40 °C

Der Microchip EERAM ist ein SRAM, das bei einer Unterbrechung der Stromversorgung nicht seinen Inhalt verliert. In jeder Speicherzelle, die für den Benutzer transparent ist, befinden sich nichtflüchtige Transistoren, die den SRAM-Inhalt erfassen und durch Stromverlustereignisse halten. Bei der Stromwiederherstellung wird der SRAM mit seinem letzten Inhalt neu geladen, und der SRAM-Betrieb kann fortgesetzt werden.

Serieller 8-Bit-SRAM mit 8 192 x 8 Bit und internen nicht flüchtigen Daten Sicherung
I2C-Schnittstelle: Bis zu 3 MHz mit Schmitt-Trigger-Eingängen zur Rauschunterdrückung
CMOS-Technologie mit geringer Leistungsaufnahme: Wirkstrom: 5 mA (max.)

Standby-Strom: 500 μA (max.)

Ruhezustand: 3 μA (max.)
Zellbasiertes nicht flüchtiges Backup spiegelt SRAM-Array-Zelle für Zelle und überträgt alle Daten zu/von SRAM-Zellen parallel (Alle Zellen gleichzeitig)
Unsichtbare Datenübertragung für den Benutzer: VCC-Pegel im Gerät überwacht, SRAM wird automatisch bei Stromunterbrechungen gespeichert, SRAM wird bei VCC-Rückkehr automatisch wiederhergestellt
Mindestens 100.000 Backups (bei 20 °C)
100 Jahre Retention (bei 20 °C)