Renesas Electronics 4MBit LowPower SRAM 256K, 16bit / Wort, 3 V bis 3,6 V, TSOP-44 44-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 217-3681
- Herst. Teile-Nr.:
- 71V416L10PHG
- Marke:
- Renesas Electronics
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| Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
| 26 - 78 | 9,363 € | 243,438 € |
| 104 - 234 | 8,362 € | 217,412 € |
| 260 - 494 | 8,333 € | 216,658 € |
| 520 - 988 | 8,024 € | 208,624 € |
| 1014 + | 7,65 € | 198,90 € |
| *Bitte VPE beachten | ||
- RS Best.-Nr.:
- 217-3681
- Herst. Teile-Nr.:
- 71V416L10PHG
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Der 3,3-V-CMOS-SRAM der Renesas Electronics 71V416-Serie ist als 256 K x 16 organisiert. Alle bidirektionalen Ein- und Ausgänge des 71V416 sind LVTTL-kompatibel und der Betrieb erfolgt über eine einzelne 3,3-V-Versorgung. Er hat eine Anschlussanzahl von 44 und einen TSOP-Gehäusetyp. Der SRAM hat eine C-Temperaturklasse.
JEDEC-Mittenleistung/GND-Pinbelegung für geringere Geräuschentwicklung.
Gleiche Zugangs- und Zykluszeiten - Gewerbe und Industrie: 10/12/15 ns
Ein Chip Select plus ein Ausgangsfreigabestift
Bidirektionale Dateneingänge und -ausgänge direkt
LVTTL-kompatibel
Gleiche Zugangs- und Zykluszeiten - Gewerbe und Industrie: 10/12/15 ns
Ein Chip Select plus ein Ausgangsfreigabestift
Bidirektionale Dateneingänge und -ausgänge direkt
LVTTL-kompatibel
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Speicher Größe | 4MBit |
| Organisation | 256 K x 16 |
| Anzahl der Wörter | 256K |
| Anzahl der Bits pro Wort | 16bit |
| Zugriffszeit max. | 10ns |
| Low Power | Ja |
| Timing Typ | Asymmetrisch |
| Montage-Typ | SMD |
| Gehäusegröße | TSOP-44 |
| Pinanzahl | 44 |
| Abmessungen | 18.41 x 10.16 x 1mm |
| Arbeitsspannnung max. | 3,6 V |
| Höhe | 1mm |
| Breite | 10.16mm |
| Länge | 18.41mm |
| Betriebstemperatur max. | +70 °C |
| Betriebstemperatur min. | –0 °C |
| Arbeitsspannnung min. | 3 V |