Renesas Electronics 4MBit LowPower SRAM 256K, 16bit / Wort, 3 V bis 3,6 V, TSOP-44 44-Pin

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RS Best.-Nr.:
217-3688
Herst. Teile-Nr.:
71V416S10PHG
Marke:
Renesas Electronics
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Marke

Renesas Electronics

Speicher Größe

4MBit

Organisation

256 K x 16

Anzahl der Wörter

256K

Anzahl der Bits pro Wort

16bit

Zugriffszeit max.

10ns

Low Power

Ja

Timing Typ

Asymmetrisch

Montage-Typ

SMD

Gehäusegröße

TSOP-44

Pinanzahl

44

Abmessungen

18.41 x 10.16 x 1mm

Arbeitsspannnung max.

3,6 V

Höhe

1mm

Betriebstemperatur max.

+70 °C

Arbeitsspannnung min.

3 V

Betriebstemperatur min.

–0 °C

Breite

10.16mm

Länge

18.41mm

Der 3,3-V-CMOS-SRAM der Renesas Electronics 71V416-Serie ist als 256 K x 16 organisiert. Alle bidirektionalen Ein- und Ausgänge des 71V416 sind LVTTL-kompatibel und der Betrieb erfolgt über eine einzelne 3,3-V-Versorgung. Er hat eine Anschlussanzahl von 44 und einen TSOP-Gehäusetyp. Der SRAM hat eine C-Temperaturklasse.

JEDEC-Mittenleistung/GND-Pinbelegung für geringere Geräuschentwicklung.
Gleiche Zugangs- und Zykluszeiten - Gewerbe und Industrie: 10/12/15 ns
Ein Chip Select plus ein Ausgangsfreigabestift
Bidirektionale Dateneingänge und -ausgänge direkt
LVTTL-kompatibel

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