Renesas Electronics 4MBit SRAM 512K, 8bit / Wort
- RS Best.-Nr.:
- 217-3695
- Herst. Teile-Nr.:
- 71V424S10YG
- Marke:
- Renesas Electronics
Nicht verfügbar
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- RS Best.-Nr.:
- 217-3695
- Herst. Teile-Nr.:
- 71V424S10YG
- Marke:
- Renesas Electronics
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Renesas Electronics | |
| Speicher Größe | 4MBit | |
| Organisation | 512 K x 8 | |
| Anzahl der Wörter | 512K | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 8bit | |
| Zugriffszeit max. | 10ns | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Renesas Electronics | ||
Speicher Größe 4MBit | ||
Organisation 512 K x 8 | ||
Anzahl der Wörter 512K | ||
Anzahl der Bits pro Wort 8bit | ||
Zugriffszeit max. 10ns | ||
Der 3,3-V-CMOS-SRAM Renesas Electronics 71V424 ist als 512 K x 8 organisiert. Alle bidirektionalen Ein- und Ausgänge des 71V424 sind TTL-kompatibel und der Betrieb erfolgt über eine einzelne 3,3-V-Versorgung. Er hat 36 Anschlusswerte und verfügt über einen SOJ-Gehäusetyp.
JEDEC-Mittenleistung/GND-Pinbelegung für geringere Geräuschentwicklung
Gleiche Zugangs- und Zykluszeiten - Gewerbe und Industrie: 10/12/15 ns
Einfache 3,3 V-Spannungsversorgung
Ein Chip Select plus ein Ausgangsfreigabestift
Gleiche Zugangs- und Zykluszeiten - Gewerbe und Industrie: 10/12/15 ns
Einfache 3,3 V-Spannungsversorgung
Ein Chip Select plus ein Ausgangsfreigabestift