Renesas Electronics 1MBit SRAM-Speicher

Der asynchrone statische RAM von Renesas Electronics ist ein 1.048.576-Bit-Hochgeschwindigkeits-statischer RAM, der als 64 K x 16 organisiert ist. Es wird mit Hochleistungs- und hochzuverlässiger CMOS-Technologie gefertigt. Diese modernste Technologie in Kombination mit innovativen Schaltkreis-Designtechniken bietet eine kostengünstige Lösung für Hochgeschwindigkeits-Speicheranforderungen. Er verfügt über einen Ausgangsaktivierungsstift, der so schnell wie 5 ns arbeitet, mit Adresszugriffszeiten so schnell wie 10 ns. Alle bidirektionalen Eingänge und Ausgänge dieses Produkts sind LVTTL-kompatibel und werden von einer einzelnen 3,3-V-Versorgung betrieben. Es werden vollständig statische asynchrone Schaltkreise verwendet, die keine Uhren oder Aktualisierungen für den Betrieb erfordern. Er ist in einem JEDEC-Standard-44-poligen SOJ aus Kunststoff, einem 44-poligen TSOP Typ II und einem 48-kugeligen 7 x 7 mm-FBGA aus Kunststoff verpackt.

64 K x 16 erweiterte Hochgeschwindigkeits-CMOS-Statik-RAM Ein Chip-Auswahl plus ein Ausgang Aktivierungsstift Geringer Stromverbrauch über Chip-Deselektion Höhere und untere Byte Aktivierungsstifte Einfaches 3,3-V-Netzteil Erhältlich in 44-poligen Kunststoff-SOJ-, 44-poligen TSOP- und 48-poligen Kunststoff-FBGA-Gehäusen Industrieller Temperaturbereich (–40 °C bis +85 °C) Für ausgewählte Geschwindigkeiten sind grüne Teile erhältlich, siehe Bestellinformationen