Renesas Electronics 4 MB SRAM-Speicher 262144 Words, 16 / Wort 18 bit 44-Pin

Der asynchrone statische RAM-Center von Renesas Electronics bietet 4.194.304-Bit-Hochgeschwindigkeits-Statik-RAM, der als 256 K x 16 organisiert ist. Es wird mit Hochleistungs- und hochzuverlässiger CMOS-Technologie gefertigt. Diese modernste Technologie in Kombination mit innovativen Schaltkreis-Designtechniken bietet eine kostengünstige Lösung für Hochgeschwindigkeits-Speicheranforderungen. Er verfügt über einen Ausgangsaktivierungsstift, der so schnell wie 5 ns arbeitet, mit Adresszugriffszeiten so schnell wie 10 ns. Es ist verpackt in einem 44-poligen, 400-mil-Kunststoff-SOJ und einem 44-poligen, 400-mil-TSOP-Typ II-Gehäuse und einem 48-Kugel-Gitter-Array, 9 mm x 9 mm Gehäuse.

256 K x 16 erweiterte Hochgeschwindigkeits-CMOS-Static-RAM-JEDEC-Mitteleinheit/GND-Pinout für geringeres Rauschen. Ein Chip-Auswahlstift plus ein Ausgang Aktivierungsstift Bidirektionale Dateneingänge und -Ausgänge direkt LVTTL-kompatibel Geringer Stromverbrauch über Chip-Deaktivierung der Auswahl oberer und unterer Byte Aktivierungsstifte Einfaches 3,3-V-Netzteil Verfügbar in 44-poligem, 400-mil-Kunststoff-SOJ-Gehäuse und einem 44-poligen, 400-mil-TSOP-Typ II-Gehäuse und einem 48-Kugelgitter-Array, 9 mm x 9 mm Gehäuse. Grüne Teile verfügbar, siehe Bestellinformationen