Renesas Electronics 1 MB SRAM 128k, 8 / Wort, SOJ 32-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 264-1294
- Herst. Teile-Nr.:
- 71024S20TYG8
- Marke:
- Renesas Electronics
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- RS Best.-Nr.:
- 264-1294
- Herst. Teile-Nr.:
- 71024S20TYG8
- Marke:
- Renesas Electronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Renesas Electronics | |
| Speicher Größe | 1MB | |
| Produkt Typ | SRAM | |
| Anzahl der Wörter | 128k | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 8 | |
| Zugriffszeit max. | 20ns | |
| Timing Typ | Asynchron | |
| Minimale Versorgungsspannung | 4.5V | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Maximale Versorgungsspannung | 5.5V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gehäusegröße | SOJ | |
| Pinanzahl | 32 | |
| Maximale Betriebstemperatur | 70°C | |
| Länge | 21.95mm | |
| Serie | 71024S | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 2.67mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Versorgungsstrom | 160mA | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Renesas Electronics | ||
Speicher Größe 1MB | ||
Produkt Typ SRAM | ||
Anzahl der Wörter 128k | ||
Anzahl der Bits pro Wort 8 | ||
Zugriffszeit max. 20ns | ||
Timing Typ Asynchron | ||
Minimale Versorgungsspannung 4.5V | ||
Montageart Oberfläche | ||
Maximale Versorgungsspannung 5.5V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gehäusegröße SOJ | ||
Pinanzahl 32 | ||
Maximale Betriebstemperatur 70°C | ||
Länge 21.95mm | ||
Serie 71024S | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 2.67mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Versorgungsstrom 160mA | ||
- Ursprungsland:
- TW
Der statische Hochgeschwindigkeits-RAM von Renesas Electronics ist als 128 K x 8 organisiert. Es wird mit Hochleistungs- und hochzuverlässiger CMOS-Technologie gefertigt. Diese modernste Technologie in Kombination mit innovativen Schaltkreis-Designtechniken bietet eine kostengünstige Lösung für Hochgeschwindigkeits-Speicheranforderungen.
Niedriger Stromverbrauch über Chip-Abwählen
Erhältlich in 300- und 400-mil-Kunststoff-SOJ
Gleiche Zugriffs- und Zykluszeiten
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