Renesas Electronics 1 MB SRAM 64K, 16 / Wort 48-Pin

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RS Best.-Nr.:
264-1295
Herst. Teile-Nr.:
71V016SA12PHG8
Marke:
Renesas Electronics
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Marke

Renesas Electronics

Speicher Größe

1MB

Produkt Typ

SRAM

Organisation

64k x 16

Anzahl der Wörter

64K

Anzahl der Bits pro Wort

16

Zugriffszeit max.

20ns

Timing Typ

Asynchron

Minimale Versorgungsspannung

3V

Maximale Versorgungsspannung

3.6V

Montageart

Oberfläche

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

85°C

Pinanzahl

48

Höhe

1mm

Breite

10.16 mm

Serie

IDT71V016

Länge

18.41mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Versorgungsstrom

170mA

Ursprungsland:
TW
Der statische Hochgeschwindigkeits-RAM von Renesas Electronics ist als 64 K x 16 organisiert. Es wird mit Hochleistungs- und hochzuverlässiger CMOS-Technologie gefertigt. Diese modernste Technologie in Kombination mit innovativen Schaltkreis-Designtechniken bietet eine kostengünstige Lösung für Hochgeschwindigkeits-Speicheranforderungen.

Niedriger Stromverbrauch über Chip-Abwählen

Gleiche Zugriffs- und Zykluszeiten

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