Renesas Electronics 1 MB SRAM 64K, 16 / Wort 48-Pin

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RS Best.-Nr.:
264-1295
Herst. Teile-Nr.:
71V016SA12PHG8
Marke:
Renesas Electronics
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Marke

Renesas Electronics

Speicher Größe

1MB

Produkt Typ

SRAM

Anzahl der Wörter

64K

Anzahl der Bits pro Wort

16

Zugriffszeit max.

20ns

Timing Typ

Asynchron

Minimale Versorgungsspannung

3V

Montageart

Oberfläche

Maximale Versorgungsspannung

3.6V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

85°C

Pinanzahl

48

Länge

18.41mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1mm

Serie

IDT71V016

Versorgungsstrom

170mA

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
TW
Der statische Hochgeschwindigkeits-RAM von Renesas Electronics ist als 64 K x 16 organisiert. Es wird mit Hochleistungs- und hochzuverlässiger CMOS-Technologie gefertigt. Diese modernste Technologie in Kombination mit innovativen Schaltkreis-Designtechniken bietet eine kostengünstige Lösung für Hochgeschwindigkeits-Speicheranforderungen.

Niedriger Stromverbrauch über Chip-Abwählen

Gleiche Zugriffs- und Zykluszeiten

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