Renesas Electronics 1MBit LowPower SRAM-Speicher 128K, 8 / Wort 17bit, TSOP 32-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 772-6140
- Herst. Teile-Nr.:
- R1LV0108ESF-7SR#B0
- Marke:
- Renesas Electronics
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
- RS Best.-Nr.:
- 772-6140
- Herst. Teile-Nr.:
- R1LV0108ESF-7SR#B0
- Marke:
- Renesas Electronics
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Renesas Electronics | |
| Speicher Größe | 1MBit | |
| Organisation | 128K x 8 bit | |
| Anzahl der Wörter | 128K | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 8 | |
| Zugriffszeit max. | 70ns | |
| Adressbusbreite | 17bit | |
| Low Power | Ja | |
| Timing Typ | Asymmetrisch | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Gehäusegröße | TSOP | |
| Pinanzahl | 32 | |
| Abmessungen | 18.5 x 8.1 x 1mm | |
| Arbeitsspannnung max. | 3,6 V | |
| Höhe | 1mm | |
| Betriebstemperatur min. | 0 °C | |
| Breite | 8.1mm | |
| Länge | 18.5mm | |
| Betriebstemperatur max. | +70 °C | |
| Arbeitsspannnung min. | 2,7 V dc | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Renesas Electronics | ||
Speicher Größe 1MBit | ||
Organisation 128K x 8 bit | ||
Anzahl der Wörter 128K | ||
Anzahl der Bits pro Wort 8 | ||
Zugriffszeit max. 70ns | ||
Adressbusbreite 17bit | ||
Low Power Ja | ||
Timing Typ Asymmetrisch | ||
Montage-Typ SMD | ||
Gehäusegröße TSOP | ||
Pinanzahl 32 | ||
Abmessungen 18.5 x 8.1 x 1mm | ||
Arbeitsspannnung max. 3,6 V | ||
Höhe 1mm | ||
Betriebstemperatur min. 0 °C | ||
Breite 8.1mm | ||
Länge 18.5mm | ||
Betriebstemperatur max. +70 °C | ||
Arbeitsspannnung min. 2,7 V dc | ||
- Ursprungsland:
- JP
SRAM mit geringem Stromverbrauch, Serie R1LV, Renesas Electronics
Die hoch entwickelten Niederspannungs-SRAMs der Serie R1LV eignen sich für Anwendungen, bei denen einfache Kopplung, Batteriebetrieb und Batteriepufferung sind die wichtigen Zielsetzungen des Designs sind.
Einfaches Netzteil mit 2,7 V oder 3,6 V
Kleine Ruhestromanforderungen
Keine Taktung, keine Aktualisierung erforderlich
Alle Eingänge und Ausgänge sind TTL-kompatibel.
Ausgänge mit drei Zuständen: OR-Tie-Fähigkeit
Kleine Ruhestromanforderungen
Keine Taktung, keine Aktualisierung erforderlich
Alle Eingänge und Ausgänge sind TTL-kompatibel.
Ausgänge mit drei Zuständen: OR-Tie-Fähigkeit
SRAM (Static Random Access Memory)