ISSI 8 MB SRAM 512K, 16 / Wort 19 bit, TSOP 44-Pin

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811-5223
Herst. Teile-Nr.:
IS62WV51216BLL-55TLI
Marke:
ISSI
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Marke

ISSI

Produkt Typ

SRAM

Speicher Größe

8MB

Organisation

512 K x 16 bit

Anzahl der Wörter

512K

Anzahl der Bits pro Wort

16

Zugriffszeit max.

55ns

Adressbusbreite

19bit

Timing Typ

Asynchron

Minimale Versorgungsspannung

2.5V

Montageart

Oberfläche

Maximale Versorgungsspannung

3.6V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Gehäusegröße

TSOP

Pinanzahl

44

Maximale Betriebstemperatur

85°C

Höhe

1.05mm

Länge

18.52mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

10.29mm

Serie

IS62WV51216BLL

Versorgungsstrom

5mA

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
TW

Statischer RAM, ISSI


Die ISSI statischen RAM Produkte verwenden die hochleistungsfähige CMOS-Technologie. Es gibt eine breite Palette an statischen RAMs, darunter die 5-V-hochgeschwindigkeitsasynchrone SRAM, die hochschnelle, energiesparende asynchrone SRAM, die energiesparenden 5-V-Typen asynchroner SRAM, die sehr energiesparende statische CMOS-RAM und die asynchrone SRAM PowerSaverTM mit geringerer Leistung. Die ISSI SRAM Geräte sind in einer Vielzahl von Spannungen, Speichergrößen und verschiedenen Organisationen verfügbar. Sie sind geeignet für Anwendungen wie zum Beispiel CPU-Cache-Speicher, Embedded Prozessoren, Festplatte und Schalter für Industrieelektronik.

Stromversorgung: 1,8 V/3,3 V/5 V

Verfügbare Pakete: BGA, SOJ, SOP sTSOP, TSOP

Verfügbare Konfigurationen: x8 und x16

ECC-Funktion für schnelle asynchrone SRAMs

SRAM (Static Random Access Memory)


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