Renesas Electronics 4MBit LowPower SRAM 256K 1MHz, 16bit / Wort 16bit, TSOP 44-Pin

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RS Best.-Nr.:
901-5843
Herst. Teile-Nr.:
RMLV0414EGSB-4S2#AA0
Marke:
Renesas Electronics
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Marke

Renesas Electronics

Speicher Größe

4MBit

Organisation

256K x 16 bit

Anzahl der Wörter

256K

Anzahl der Bits pro Wort

16bit

Zugriffszeit max.

45ns

Adressbusbreite

16bit

Taktfrequenz

1MHz

Low Power

Ja

Montage-Typ

SMD

Gehäusegröße

TSOP

Pinanzahl

44

Abmessungen

18.51 x 10.26 x 1mm

Höhe

1mm

Arbeitsspannnung max.

3,6 V

Breite

10.26mm

Arbeitsspannnung min.

2,7 V

Betriebstemperatur min.

–40 °C

Länge

18.51mm

Betriebstemperatur max.

+85 °C

Energiesparversion-SRAM, Serie RMLV, Renesas Electronics


Die Serie RMLV von erweiterten Hochleistungs-SRAM-Speichern bietet höhere Dichte, niedrigen Stromverbrauch und Standby-Verlustleistung mit geringem Verbrauch.

Einfaches 2,7 bis 3,6 V Netzteil
Zugriffszeit: 45 ns (max.)
Gleiche Zugriffs- und Zykluszeiten
Gemeinsamer Dateneingang und -ausgang mit Drei-Punkt-Ausgang
Alle Eingänge und Ausgänge sind TTL-kompatibel
Geeignet für Batteriepufferungsbetrieb


SRAM (Static Random Access Memory)