Taiwan Semiconductor 1 TVS-Diode Bidirektional Einfach 600 W 133 V min., 2-Pin, Oberfläche 120 V max DO-214
- RS Best.-Nr.:
- 166-3010
- Herst. Teile-Nr.:
- SMBJ120CA
- Marke:
- Taiwan Semiconductor
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- Taiwan Semiconductor
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Taiwan Semiconductor | |
| Direction Typ | Bidirektional | |
| Produkt Typ | TVS-Diode | |
| Diodenkonfiguration | Einfach | |
| Durchbruchsspannung min. Vbr | 133V | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Gehäusegröße | DO-214 | |
| Maximale Sperrspannung Vwm | 120V | |
| Pinanzahl | 2 | |
| Höchstzulässige Pulsverlustleistung Pppm | 600W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Prüfstrom It | 1mA | |
| Klemmenspannung | 193V | |
| Impulsspitzenstrom max. Ippm | 3.1A | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 4.75mm | |
| Höhe | 2.45mm | |
| Normen/Zulassungen | FBI | |
| Serie | SMBJ | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Sperrstrom max. | 5μA | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Taiwan Semiconductor | ||
Direction Typ Bidirektional | ||
Produkt Typ TVS-Diode | ||
Diodenkonfiguration Einfach | ||
Durchbruchsspannung min. Vbr 133V | ||
Montageart Oberfläche | ||
Gehäusegröße DO-214 | ||
Maximale Sperrspannung Vwm 120V | ||
Pinanzahl 2 | ||
Höchstzulässige Pulsverlustleistung Pppm 600W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Prüfstrom It 1mA | ||
Klemmenspannung 193V | ||
Impulsspitzenstrom max. Ippm 3.1A | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 4.75mm | ||
Höhe 2.45mm | ||
Normen/Zulassungen FBI | ||
Serie SMBJ | ||
Automobilstandard Nein | ||
Sperrstrom max. 5μA | ||
Überspannungsableiter, SMD, bidirektional, 600 W, Serie SMBJ, Fairchild Semiconductor
Glaspassivierte Sperrschicht
Max. Spitzenimpulsbelastbarkeit: 600 W
Ausgezeichnete Klemmwirkung
Geringe inkrementelle Stoßstrombeständigkeit
Kurze Ansprechzeit
UL-Zertifikat Nr. E258596
Entflammbarkeitsklasse UL94V-0
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