Zenermerkmal mit Spannungs-Snap-Back zum Schutz vor ESD-Schlägen Hohe Lawinenspannung, geringer Leckstrom und niedrige Kapazität vermeiden Signaldämpfung Kompatibel mit allen 5-V-Logikfamilien Platzsparendes TSOC-SMD-Gehäuse mit niedriger Induktivität Integrierte 5-Ohm-Widerstände zur Isolierung an Anode- und Kathodenklemmen Industrieller Temperaturbereich