Vishay Si2333DDS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 12 V / 6 A 1.7 W, 3-Pin SI2333DDS-T1-GE3 SOT-23

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RS Best.-Nr.:
787-9222
Distrelec-Artikelnummer:
304-02-277
Herst. Teile-Nr.:
SI2333DDS-T1-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ P

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

6A

Drain-Source-Spannung Vds max.

12V

Serie

Si2333DDS

Gehäusegröße

SOT-23

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

19Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

8 V

Maximale Verlustleistung Pd

1.7W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

23nC

Durchlassspannung Vf

-1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

1.4 mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

3.04mm

Höhe

1.02mm

Automobilstandard

Nein

Distrelec Product Id

30402277

P-Kanal MOSFET, 8 V bis 20 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor


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