Maxim Integrated 16 bit DAC MAX5885EGM+D, QFN-EP, 48-Pin, Interface Parallel
- RS Best.-Nr.:
- 190-5606
- Herst. Teile-Nr.:
- MAX5885EGM+D
- Marke:
- Maxim Integrated
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
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- 190-5606
- Herst. Teile-Nr.:
- MAX5885EGM+D
- Marke:
- Maxim Integrated
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Maxim Integrated | |
| Architektur | Stromsteuerung | |
| Auflösung | 16 bit | |
| Skalierungsfehler | -3.5 → +1.3%FSR | |
| Integrale Nichtlinearität | ±0.006LSB | |
| Anzahl der D/A-Wandlerkanäle | 1 | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Gehäusegröße | QFN-EP | |
| Pinanzahl | 48 | |
| Rücksetzzeit max. | 11ns | |
| Digital Interface Typ | Parallel | |
| Ausgangspolarität | Unipolar | |
| Referenzspannung | Extern | |
| Stromversorgungs-Typ | Single | |
| Versorgungsspannung einzeln typ. | 3,3 V | |
| Abmessungen | 7.1 x 7.1 x 0.85mm | |
| Betriebstemperatur min. | –40 °C | |
| Betriebstemperatur max. | 85 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Maxim Integrated | ||
Architektur Stromsteuerung | ||
Auflösung 16 bit | ||
Skalierungsfehler -3.5 → +1.3%FSR | ||
Integrale Nichtlinearität ±0.006LSB | ||
Anzahl der D/A-Wandlerkanäle 1 | ||
Montage-Typ SMD | ||
Gehäusegröße QFN-EP | ||
Pinanzahl 48 | ||
Rücksetzzeit max. 11ns | ||
Digital Interface Typ Parallel | ||
Ausgangspolarität Unipolar | ||
Referenzspannung Extern | ||
Stromversorgungs-Typ Single | ||
Versorgungsspannung einzeln typ. 3,3 V | ||
Abmessungen 7.1 x 7.1 x 0.85mm | ||
Betriebstemperatur min. –40 °C | ||
Betriebstemperatur max. 85 °C | ||
200 Msps Ausgangs-Aktualisierungsrate
Einfacher 3,3-V-Versorgungsbetrieb
Ausgezeichnete SFDR- und IMD-Leistung
SFDR = 77 dBc bei Ausgang = 10 MHz (auf Nyquist)
IMD = -88 dBc bei Ausgang = 10 MHz
ACLR = 74 dB bei Ausgang = 30,72 MHz
2 mA bis 20 mA Ausgangsstrom im Vollformat
CMOS-kompatible digitale und Takteingänge
Integrierte 1,2-V-Bandlückenreferenz
Geringe Verlustleistung
48-poliges QFN-EP-Gehäuse
Anwendungen
Automatisierte Prüfgeräte (ATE)
Basisstationen: Single-/Multicarrier UMTS, CDMA, GSM
Kommunikation: LMDS, MMDS, Point-to-Point-Mikrowelle
Digital-Signal-Synthese
Messtechnik
Einfacher 3,3-V-Versorgungsbetrieb
Ausgezeichnete SFDR- und IMD-Leistung
SFDR = 77 dBc bei Ausgang = 10 MHz (auf Nyquist)
IMD = -88 dBc bei Ausgang = 10 MHz
ACLR = 74 dB bei Ausgang = 30,72 MHz
2 mA bis 20 mA Ausgangsstrom im Vollformat
CMOS-kompatible digitale und Takteingänge
Integrierte 1,2-V-Bandlückenreferenz
Geringe Verlustleistung
48-poliges QFN-EP-Gehäuse
Anwendungen
Automatisierte Prüfgeräte (ATE)
Basisstationen: Single-/Multicarrier UMTS, CDMA, GSM
Kommunikation: LMDS, MMDS, Point-to-Point-Mikrowelle
Digital-Signal-Synthese
Messtechnik
