STMicroelectronics 256 kB EEPROM, SPI Interface, TSSOP-8 SMD 8-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 734-060
- Herst. Teile-Nr.:
- M95M02E-FDW6TP
- Marke:
- STMicroelectronics
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Speicher Größe | 256kB | |
| Produkt Typ | EEPROM | |
| Schnittstellentyp | SPI | |
| Gehäusegröße | TSSOP-8 | |
| Montageart | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Taktfrequenz max. | 16MHz | |
| Minimale Versorgungsspannung | 1.7V | |
| Maximale Versorgungsspannung | 5.5V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 85°C | |
| Breite | 4.5mm | |
| Höhe | 1.05mm | |
| Serie | M95M02E | |
| Normen/Zulassungen | RoHs Compliant | |
| Länge | 6.6mm | |
| Versorgungsstrom | 4mA | |
| Automobilstandard | AEC-Q100-002 | |
| Datenspeicherung | 200Jahr | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Speicher Größe 256kB | ||
Produkt Typ EEPROM | ||
Schnittstellentyp SPI | ||
Gehäusegröße TSSOP-8 | ||
Montageart SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Taktfrequenz max. 16MHz | ||
Minimale Versorgungsspannung 1.7V | ||
Maximale Versorgungsspannung 5.5V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 85°C | ||
Breite 4.5mm | ||
Höhe 1.05mm | ||
Serie M95M02E | ||
Normen/Zulassungen RoHs Compliant | ||
Länge 6.6mm | ||
Versorgungsstrom 4mA | ||
Automobilstandard AEC-Q100-002 | ||
Datenspeicherung 200Jahr | ||
Das EEPROM-Gerät von STMicroelectronics wurde für eine zuverlässige, nicht flüchtige Datenspeicherung in anspruchsvollen Automobil- und Industrieumgebungen entwickelt. Es nutzt eine serielle SPI-Schnittstelle, die Hochgeschwindigkeitskommunikation bis 20 MHz unterstützt und eine effiziente Datenübertragung gewährleistet. Mit erweiterten Spannungs- und Temperaturmöglichkeiten bietet er auch unter rauen Bedingungen einen sicheren Betrieb, womit er sich für Langzeitanwendungen eignet, die Haltbarkeit und Stabilität erfordern.
Speicher-Array-Kapazität von 64 Kbit entspricht 8 Kbyte
Seitengröße von 32 Byte mit einer zusätzlichen schreibsperrbaren Identifikationsseite
Schreibschutz verfügbar durch Block in a quarter one half or whole memory
Hochgeschwindigkeits-Taktfrequenz von 20 MHz für Versorgungsspannung von 4,5 V bis 5,5 V 10 MHz für Versorgungsspannung von 2,5 V bis 5,5 V und 5 MHz für Versorgungsspannung von 1,7 V bis 5,5 V
Byte- und Seiten-Schreibzykluszeit innerhalb von 4 MS
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