Microchip 1MBit EEPROM-Parallelspeicher, Parallel Interface, PLCC, 200ns SMD 128K x 8 bit, 128K x 32-Pin 8bit

Leistungsstarker 1M EEPROM bietet Zugriffszeiten bis 200 ns bei 54 mW Verlustleistung und 3,0 V Versorgungsspannung.

Leistungsmerkmale:Einfache Spannungsversorgung 3,3 V ± 10 %Schnelle Lesezugriffszeit –200 nsAutomatischer SeitenschreibvorgangInterne Adress- und Datenspeicher für 128 ByteInterner Kontroll-ZeitgeberSchnelle SchreibzykluszeitSeitenschreibezeit – 10 ms (maximal)1 bis 128 Byte SeitenschreibvorgangGeringe Verlustleistung:15 mA Wirkstrom20 μA CMOS-Standby-StromHard- und Software-DatenschutzDatenabfrage für das Ende des SchreibvorgangsSehr zuverlässige CMOS-TechnologieAusdauer: 105 ZyklenDatenspeicherung: 10 JahreByteweite AnschlussdichteTemperaturbereich in der IndustrieGrün (Pb/Halogenfrei) Nur Verpackungsoption