ROHM 256kbit EEPROM-Speicher, SPI Interface, SOP SMD 32K x 8 bit, 32K x 8-Pin 8bit
- RS Best.-Nr.:
- 185-0641
- Herst. Teile-Nr.:
- BR25G256F-3GE2
- Marke:
- ROHM
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
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- BR25G256F-3GE2
- Marke:
- ROHM
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Speicher Größe | 256kbit | |
| Interface-Typ | SPI | |
| Gehäusegröße | SOP | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Organisation | 32K x 8 bit | |
| Arbeitsspannnung min. | 1,6 V | |
| Arbeitsspannnung max. | 5,5 V | |
| Programmierspannung | 1.6 → 5.5V | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 8bit | |
| Abmessungen | 5 x 4.4 x 1.5mm | |
| Betriebstemperatur min. | –40 °C | |
| Datenerhalt | 100Jahr | |
| Betriebstemperatur max. | +85 °C | |
| Anzahl der Wörter | 32K | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Speicher Größe 256kbit | ||
Interface-Typ SPI | ||
Gehäusegröße SOP | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Organisation 32K x 8 bit | ||
Arbeitsspannnung min. 1,6 V | ||
Arbeitsspannnung max. 5,5 V | ||
Programmierspannung 1.6 → 5.5V | ||
Anzahl der Bits pro Wort 8bit | ||
Abmessungen 5 x 4.4 x 1.5mm | ||
Betriebstemperatur min. –40 °C | ||
Datenerhalt 100Jahr | ||
Betriebstemperatur max. +85 °C | ||
Anzahl der Wörter 32K | ||
- Ursprungsland:
- JP
Der BR25G256F-3 ist ein serieller 256-kbit-EEPROM für SPI-BUS-Schnittstellen.
Hohe Taktgeschwindigkeit von bis zu 20 MHz (Max.)
Wartefunktion durch HOLDB-Klemme
Speicher-Arrays teilweise oder ganz per Programm als schreibgeschützter Speicherbereich definierbar
Der Betrieb über eine einfache 1,6-V- bis 5,5-V-Stromquelle eignet sich am besten für Batteriebetrieb.
Bis zu 64 Byte im Seitenschreibmodus.
Für SPI-Bus-Schnittstelle (CPOL, CPHA) = (0, 0), (1, 1)
Selbstgetakteter Programmierzyklus
Geringer Stromverbrauch
Beim Schreiben (5 V): 0,5 mA (Typ)
Beim Lesen (5 V): 2,0 mA (Typ)
Im Standby-Betrieb (5 V): 0,1 μA (Typ)
Automatische Adressen-Schrittfunktion beim Lesen
Verhinderung von Schreibfehlern
Schreibsperre beim Einschalten
Schreibsperre durch Befehlscode (WRDI)
Schreibsperre durch WPB-Pol
Schreibsperre Blockeinstellung über Statusregister (BP1, BP0)
Verhinderung von Schreibfehlern bei niedriger Spannung
Mehr als 100 Jahre Datenspeicherung.
Mehr als 1 Million Schreibzyklen.
Bit-Format 16 Kx8
Daten für erste Lieferung
Speicher-Array: FFh
Statusregister: WPEN, BP1, BP0: 0
Wartefunktion durch HOLDB-Klemme
Speicher-Arrays teilweise oder ganz per Programm als schreibgeschützter Speicherbereich definierbar
Der Betrieb über eine einfache 1,6-V- bis 5,5-V-Stromquelle eignet sich am besten für Batteriebetrieb.
Bis zu 64 Byte im Seitenschreibmodus.
Für SPI-Bus-Schnittstelle (CPOL, CPHA) = (0, 0), (1, 1)
Selbstgetakteter Programmierzyklus
Geringer Stromverbrauch
Beim Schreiben (5 V): 0,5 mA (Typ)
Beim Lesen (5 V): 2,0 mA (Typ)
Im Standby-Betrieb (5 V): 0,1 μA (Typ)
Automatische Adressen-Schrittfunktion beim Lesen
Verhinderung von Schreibfehlern
Schreibsperre beim Einschalten
Schreibsperre durch Befehlscode (WRDI)
Schreibsperre durch WPB-Pol
Schreibsperre Blockeinstellung über Statusregister (BP1, BP0)
Verhinderung von Schreibfehlern bei niedriger Spannung
Mehr als 100 Jahre Datenspeicherung.
Mehr als 1 Million Schreibzyklen.
Bit-Format 16 Kx8
Daten für erste Lieferung
Speicher-Array: FFh
Statusregister: WPEN, BP1, BP0: 0