STMicroelectronics 32 kB EEPROM, Seriell-I2C Interface, SOIC, 450 ns Oberfläche 4K x 8 bit, 4K x 8-Pin 8
- RS Best.-Nr.:
- 190-7553
- Herst. Teile-Nr.:
- M24C32-FMN6TP
- Marke:
- STMicroelectronics
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- RS Best.-Nr.:
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- M24C32-FMN6TP
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | EEPROM | |
| Speicher Größe | 32kB | |
| Schnittstellentyp | Seriell-I2C | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Organisation | 4K x 8 bit | |
| Taktfrequenz max. | 1MHz | |
| Minimale Versorgungsspannung | 1.7V | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 8 | |
| Maximale Versorgungsspannung | 5.5V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 85°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS 2011/65/EU | |
| Serie | M24C32-F | |
| Höhe | 1.75mm | |
| Breite | 150mm | |
| Länge | 5mm | |
| Zugriffszeit max. | 450ns | |
| Datenspeicherung | 200Jahr | |
| Automobilstandard | AEC-Q100 | |
| Anzahl der Wörter | 4K | |
| Versorgungsstrom | 2.5mA | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ EEPROM | ||
Speicher Größe 32kB | ||
Schnittstellentyp Seriell-I2C | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Organisation 4K x 8 bit | ||
Taktfrequenz max. 1MHz | ||
Minimale Versorgungsspannung 1.7V | ||
Anzahl der Bits pro Wort 8 | ||
Maximale Versorgungsspannung 5.5V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 85°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS 2011/65/EU | ||
Serie M24C32-F | ||
Höhe 1.75mm | ||
Breite 150mm | ||
Länge 5mm | ||
Zugriffszeit max. 450ns | ||
Datenspeicherung 200Jahr | ||
Automobilstandard AEC-Q100 | ||
Anzahl der Wörter 4K | ||
Versorgungsstrom 2.5mA | ||
Kompatibel mit allen I2C-Busmodi:
1 MHz
400 kHz
100 kHz
Speicherarray:
32 Kbit (4 KByte) EEPROM
Seitengröße: 32 Byte
Zusätzliche abschließbare Schreibseite
Einfache Versorgungsspannung:
1,7 V bis 5,5 V über -40 °C / +85 °C.
1,6 V bis 5,5 V über -20 °C / +85 °C.
Schreiben:
Byte-Schreiben innerhalb von 5 ms
Schreiben von Seiten innerhalb von 5 ms
Zufällige und sequenzielle Lesemodi
Schreibschutz des gesamten Speicherarrays
Verbesserter ESD-/Latch-Up-Schutz
Mehr als 4 Million Schreibzyklen
Mehr als 200 Jahre Datenspeicherung
Gehäuse
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SO8
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UFDFPN8
WLCSP
UFDFPN5
Unsawn Wafer (jede Matrize wird getestet)
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