Microchip 256 kB EEPROM, Seriell-SPI Interface, SOIC, 50 ns Durchsteckmontage 32K x 8 Bit, 32K x 8-Pin 8
- RS Best.-Nr.:
- 197-6049
- Herst. Teile-Nr.:
- 25AA256-I/P
- Marke:
- Microchip
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- 25AA256-I/P
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- Microchip
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Microchip | |
| Produkt Typ | EEPROM | |
| Speicher Größe | 256kB | |
| Schnittstellentyp | Seriell-SPI | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Taktfrequenz max. | 10MHz | |
| Minimale Versorgungsspannung | 1.8V | |
| Maximale Versorgungsspannung | 5.5V | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 8 | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 85°C | |
| Länge | 9.4mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Datenspeicherung | 200Jahr | |
| Automobilstandard | AEC-Q100 | |
| Versorgungsstrom | 6mA | |
| Anzahl der Wörter | 32K | |
| Zugriffszeit max. | 50ns | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Microchip | ||
Produkt Typ EEPROM | ||
Speicher Größe 256kB | ||
Schnittstellentyp Seriell-SPI | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 8 | ||
Taktfrequenz max. 10MHz | ||
Minimale Versorgungsspannung 1.8V | ||
Maximale Versorgungsspannung 5.5V | ||
Anzahl der Bits pro Wort 8 | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 85°C | ||
Länge 9.4mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Datenspeicherung 200Jahr | ||
Automobilstandard AEC-Q100 | ||
Versorgungsstrom 6mA | ||
Anzahl der Wörter 32K | ||
Zugriffszeit max. 50ns | ||
Microchip 25AA256-I/P sind serielle, elektrisch löschbare 256-Kbit-PROMs. Der Zugriff auf den Speicher erfolgt über einen kompatiblen seriellen Bus einer einfachen seriellen Peripherieschnittstelle (SPI). Die benötigten Bussignale sind ein Takteingang (SCK) sowie getrennte Dateneingänge (SI) und Datenausgänge (SO). Der Zugriff auf das Gerät wird über einen Chip Select (CS)-Eingang gesteuert. Die Kommunikation zum Gerät kann über den Haltestift (HOLD) unterbrochen werden.
Max. Takt: 10 MHz
Low-Power-CMOS-Technologie:- Max. Schreibstrom: 5 mA bei 5,5 V Lesestrom: 5 mA bei 5,5 V, 10 MHz Standby-Strom: 1 μA bei 5,5V
Lösch-/Schreibzyklen mit Selbstzeitsteuerung (5 ms max.)
Block-Schreibschutz: nichts, 1/4, 1/2 oder alles des Arrays schützen
Integrierter Schreibschutz: Einschalt/Ausschalt-Datenschutzschaltung, Schreibfreigabesperre, Schreibschutzpin
Sequenzielles Lesen
Hohe Zuverlässigkeit: Lebensdauer: 1000000000 Lösch-/Schreibzyklen- Datenspeicherung: 200 Jahre – ESD-Schutz:4000 V
Unterstützte Temperaturbereiche:
AEC-Q100-zertifiziert für die Kfz-Branche
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