Microchip 512 kB EEPROM, I2C Interface, SOIJ-8, 450 ns Oberfläche 64k x 8 Bit, 64K x 8-Pin 8
- RS Best.-Nr.:
- 236-8814
- Herst. Teile-Nr.:
- AT24C512C-SHD-B
- Marke:
- Microchip
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Microchip | |
| Speicher Größe | 512kB | |
| Produkt Typ | EEPROM | |
| Schnittstellentyp | I2C | |
| Gehäusegröße | SOIJ-8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Taktfrequenz max. | 1000kHz | |
| Organisation | 64k x 8 Bit | |
| Minimale Versorgungsspannung | 2.5V | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 8 | |
| Maximale Versorgungsspannung | 5.5V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 85°C | |
| Höhe | 1.88mm | |
| Serie | AT24C5 | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Anzahl der Wörter | 64K | |
| Zugriffszeit max. | 450ns | |
| Versorgungsstrom | 3mA | |
| Datenspeicherung | 100year | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Microchip | ||
Speicher Größe 512kB | ||
Produkt Typ EEPROM | ||
Schnittstellentyp I2C | ||
Gehäusegröße SOIJ-8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Taktfrequenz max. 1000kHz | ||
Organisation 64k x 8 Bit | ||
Minimale Versorgungsspannung 2.5V | ||
Anzahl der Bits pro Wort 8 | ||
Maximale Versorgungsspannung 5.5V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 85°C | ||
Höhe 1.88mm | ||
Serie AT24C5 | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Anzahl der Wörter 64K | ||
Zugriffszeit max. 450ns | ||
Versorgungsstrom 3mA | ||
Datenspeicherung 100year | ||
Der serielle EEPROM von Microchip verfügt über ein SOIJ-Gehäuse, das typisch für Rohrverpackungsmedien ist. Er hat eine Dichte von 512 K Bit und einen Betriebsspannungsbereich von 1,7 bis 5,5 V. Die maximale Taktfrequenz beträgt 1 MHz und hat eine Seitengröße von 128 Byte.
Schmitt-Trigger, gefilterte Eingänge zur Rauschunterdrückung
Bidirektionales Datenübertragungsprotokoll
Schreibschutzstift für vollständigen Schutz der Array-Hardware-Daten
Extrem niedriger aktiver Strom: Max. 3 mA und Standby-Strom: Max. 6 μA
Teilweise Seitenschreibvorgänge zulässig
Zufällige und sequenzielle Lesemodi
Selbstgesteuerter Schreibzyklus innerhalb von max. 5 ms
ESD-Schutz > 4000 V
Hohe Zuverlässigkeit
Lebensdauer: 1000000 Schreibzyklen
Datenspeicherung 100 Jahre
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