Winbond W29N Flash-Speicher 8Gbit, 1024K x 8 Bit, Parallel, 25μs, VFBGA, 63-Pin, 1,7 V bis 1,95 V

Dichte: 8 Gbit (2-Chip-Stacked-Lösung)
VCC: 1,7 V bis 1,95 V
Busbreite: X8/x16
Betriebstemperatur
Industrie: –40 °C bis 85 °C
Single-Level-Cell (SLC)-Technologie.
Organisation
Dichte: 8G-Bit/1G-Byte
Seitengröße
2.112 Byte (2048 + 64 Byte)
1056 Wörter (1024 + 32 Wörter)
Blockgröße
64 Seiten (128K + 4K Byte)
64 Seiten (64 K + 2 K Wörter)
Höchste Leistung
Leseleistung (max.)
Zufälliges Lesen: 25 us
Sequenzieller Lesezyklus: 35 ns
Schreiblösch-Funktion
Seitenprogrammzeit: 250 us (typ.)
Blocklöschzeit: 2 ms (typ.)
Lebensdauer: 100000 Lösch-/Programmzyklen (1)
10 Jahre Datenspeicherung
Befehlssatz
Standard-NAND-Befehlssatz
Zusätzliche Befehlsunterstützung
Kopieren Sie zurück
Zweiebenen-Betrieb
Wenden Sie sich an Winbond für OTP-Funktion
Wenden Sie sich an Winbond für Blockschlossfunktion
Niedrigste Leistungsaufnahme
Lesen: 13 mA (typ.)
Programmieren/Löschen: 13 mA (typ.)
CMOS-Standby: 20 μA (typ.)
Platzsparende Verpackung
48-poliger Standard-TSOP1
63-Kugel-VFBGA

8 GB SLC NAND-Flash-Speicher mit einheitlicher Seitengröße von 2 KB+64 B.

Busbreite: X8
Zufälliges Lesen: 25us
Seitenprogrammzeit: 250 us (typ.)
Blocklöschzeit: 2 ms (typ.)
Unterstützt OTP-Speicherbereich