Microchip Gate teilbar SST25VF Flash-Speicher 4 MB, 512k x 8, SPI, SOIC, 8-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 264-8831
- Herst. Teile-Nr.:
- SST25VF040B-50-4I-SAF-T
- Marke:
- Microchip
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- RS Best.-Nr.:
- 264-8831
- Herst. Teile-Nr.:
- SST25VF040B-50-4I-SAF-T
- Marke:
- Microchip
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Microchip | |
| Produkt Typ | Flash-Speicher | |
| Speicher Größe | 4MB | |
| Schnittstellentyp | SPI | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Organisation | 512k x 8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Taktfrequenz max. | 50MHz | |
| Zellen-Typ | Gate teilbar | |
| Minimale Versorgungsspannung | 2.3V | |
| Maximale Versorgungsspannung | 3.6V | |
| Timing Typ | Synchron | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 85°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS, JEDEC | |
| Breite | 5 mm | |
| Länge | 6mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Serie | SST25VF | |
| Versorgungsstrom | 15mA | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Microchip | ||
Produkt Typ Flash-Speicher | ||
Speicher Größe 4MB | ||
Schnittstellentyp SPI | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Pinanzahl 8 | ||
Organisation 512k x 8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Taktfrequenz max. 50MHz | ||
Zellen-Typ Gate teilbar | ||
Minimale Versorgungsspannung 2.3V | ||
Maximale Versorgungsspannung 3.6V | ||
Timing Typ Synchron | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 85°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS, JEDEC | ||
Breite 5 mm | ||
Länge 6mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Serie SST25VF | ||
Versorgungsstrom 15mA | ||
Der serielle Flash-Speicher von Microchip verfügt über eine vieradrige, SPI-kompatible Schnittstelle, die ein Paket mit geringer Stiftzahl ermöglicht, das weniger Platz auf der Platine einnimmt und letztendlich die Gesamtkosten des Systems senkt. Das Gerät SST25VF040B wird mit einer verbesserten Betriebsfrequenz für einen niedrigeren Energieverbrauch verbessert. Dieser serielle SPI-Flash-Speicher wird mit der hochleistungsfähigen CMOS-Super-Flash-Technologie von SST hergestellt. Die Split-Gate-Zellenbauweise und der Dickoxid-Tunneling-Injektor erreichen eine bessere Zuverlässigkeit und Fertigungsfähigkeit im Vergleich zu alternativen Ansätzen. Dieses Gerät verbessert die Leistung und Zuverlässigkeit erheblich und senkt gleichzeitig den Energieverbrauch.
SPI-kompatibel: Modus 0 und Modus 3
Unterstützt 50-MHz-SPI-Takt
Aktiver Lesestrom: 10 mA (typisch)
Programmier- und Löschstrom: 30 mA (max.)
Standby-Strom: 5 μA (typisch)
Chip-Löschzeit: 35 ms (typisch)
Sektor-/Block-Löschzeit: 18 ms (typisch)
Byte-Programmzeit: 7 μs (typisch)
RoHS-konform
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