OSI Optoelectronics DL Fotodiode Infrarot 65 ° 670 nm, Durchsteckmontage TO-8-Gehäuse 3-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 177-5566
- Herst. Teile-Nr.:
- PIN DL-4
- Marke:
- OSI Optoelectronics
Zwischensumme (1 Schale mit 2 Stück)*
373,19 €
(ohne MwSt.)
444,096 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Nur noch Restbestände
- Letzte 2 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück | Pro Stück | Pro Schale* |
|---|---|---|
| 2 + | 186,595 € | 373,19 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 177-5566
- Herst. Teile-Nr.:
- PIN DL-4
- Marke:
- OSI Optoelectronics
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | OSI Optoelectronics | |
| Erkannte Spektren | Infrarot | |
| Produkt Typ | Fotodiode | |
| Wellenlänge der max. Empfindlichkeit | 670nm | |
| Gehäusegröße | TO-8 | |
| Verpackungsart | Band und Rolle | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Anzahl der Pins | 3 | |
| Wellenlänge min. | 320nm | |
| erfasste Wellenlänge max. | 1100nm | |
| Fallzeit typ. | 0.08μs | |
| Verstärkt | Nein | |
| Betriebstemperatur min. | -25°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 85°C | |
| Breite | 5mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Höhe | 5.59mm | |
| Länge | 8mm | |
| Empfindlichkeit-Halbwertswinkel | 65 ° | |
| Durchmesser | 15.24mm | |
| Dunkelstrom | 0.2nA | |
| Regelanstiegszeit | 0.08μs | |
| Durchschlagspannung | 30V | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Serie | DL | |
| Polarität | Invertiert | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke OSI Optoelectronics | ||
Erkannte Spektren Infrarot | ||
Produkt Typ Fotodiode | ||
Wellenlänge der max. Empfindlichkeit 670nm | ||
Gehäusegröße TO-8 | ||
Verpackungsart Band und Rolle | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Anzahl der Pins 3 | ||
Wellenlänge min. 320nm | ||
erfasste Wellenlänge max. 1100nm | ||
Fallzeit typ. 0.08μs | ||
Verstärkt Nein | ||
Betriebstemperatur min. -25°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 85°C | ||
Breite 5mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Höhe 5.59mm | ||
Länge 8mm | ||
Empfindlichkeit-Halbwertswinkel 65 ° | ||
Durchmesser 15.24mm | ||
Dunkelstrom 0.2nA | ||
Regelanstiegszeit 0.08μs | ||
Durchschlagspannung 30V | ||
Automobilstandard Nein | ||
Serie DL | ||
Polarität Invertiert | ||
- Ursprungsland:
- US
Positionserfassungsdetektoren (PSDs) von OSI
Diese Familie von Positionserfassungsdetektoren (PSD) von OSI Optoelectronics verwendet duolaterale Technologie. Sie bieten einen kontinuierlichen Analogausgang, der hohe Positionsgenauigkeit über den Großteil des Abtastgebiets bietet. Ein- oder zweidimensionale Positionen können mit dieser Serie von PSDs gemessen werden.
Geeignete Anwendungen für diese Positionserfassungsdetektoren (PSDs) sind Trägerausrichtung, Positionserfassung, Winkelmessung, Höhenmessungen und Bewegungsanalyse.
Leistungsmerkmale:
Äußerst linear
Hohe Genauigkeit
Großer Dynamikbereich
Hohe Zuverlässigkeit
Duolateral Struktur
Fotodioden, OSI Optoelectronics
Verwandte Links
- OSI Optoelectronics DL Fotodiode Infrarot 65 ° 670 nm, Durchsteckmontage TO-8-Gehäuse 3-Pin
- OSI Optoelectronics Fotodiode Infrarot 65 ° 670 nm, Durchsteckmontage TO-5-Gehäuse 4-Pin
- OSI Optoelectronics DL Fotodiode Infrarot 65 ° 970 nm, Durchsteckmontage TO-5-Gehäuse 2-Pin
- OSI Optoelectronics Pin Fotodiode Infrarot 65 ° 970 nm, SMD 1-Pin
- OSI Optoelectronics Photoconductive Fotodiode Infrarot 65 ° 970 nm, SMD 1-Pin
- OSI Optoelectronics UV Fotodiode Infrarot 65 ° 254 nm, Durchsteckmontage 3-Pin
- OSI Optoelectronics Spot Fotodiode Infrarot 65 ° 970 nm, Durchsteckmontage 3-Pin
- OSI Optoelectronics FCI-InGaAS Fotodiode Infrarot 65 ° 1550 nm, Durchsteckmontage 2-Pin
