OSI Optoelectronics D Fotodiode Infrarot 65 ° 970 nm, Durchsteckmontage TO-18-Gehäuse 3-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 184-1891
- Herst. Teile-Nr.:
- PIN-3CDI
- Marke:
- OSI Optoelectronics
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stück)*
21,79 €
(ohne MwSt.)
25,93 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- 1 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
- Zusätzlich 10 Einheit(en) mit Versand ab 12. Juni 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 1 | 21,79 € |
| 2 - 4 | 21,23 € |
| 5 + | 20,70 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 184-1891
- Herst. Teile-Nr.:
- PIN-3CDI
- Marke:
- OSI Optoelectronics
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | OSI Optoelectronics | |
| Produkt Typ | Fotodiode | |
| Erkannte Spektren | Infrarot | |
| Wellenlänge der max. Empfindlichkeit | 970nm | |
| Gehäusegröße | TO-18 | |
| Verpackungsart | Band und Rolle | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Anzahl der Pins | 3 | |
| Wellenlänge min. | 350nm | |
| erfasste Wellenlänge max. | 1100nm | |
| Fallzeit typ. | 0.6ns | |
| Betriebstemperatur min. | -25°C | |
| Verstärkt | Nein | |
| Maximale Betriebstemperatur | 85°C | |
| Höhe | 3.81mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Breite | 5mm | |
| Länge | 4.64mm | |
| Durchmesser | 5.33mm | |
| Empfindlichkeit-Halbwertswinkel | 65 ° | |
| Polarität | Vorwärts | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Serie | D | |
| Regelanstiegszeit | 10ns | |
| Durchschlagspannung | 30V | |
| Dunkelstrom | 1nA | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke OSI Optoelectronics | ||
Produkt Typ Fotodiode | ||
Erkannte Spektren Infrarot | ||
Wellenlänge der max. Empfindlichkeit 970nm | ||
Gehäusegröße TO-18 | ||
Verpackungsart Band und Rolle | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Anzahl der Pins 3 | ||
Wellenlänge min. 350nm | ||
erfasste Wellenlänge max. 1100nm | ||
Fallzeit typ. 0.6ns | ||
Betriebstemperatur min. -25°C | ||
Verstärkt Nein | ||
Maximale Betriebstemperatur 85°C | ||
Höhe 3.81mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Breite 5mm | ||
Länge 4.64mm | ||
Durchmesser 5.33mm | ||
Empfindlichkeit-Halbwertswinkel 65 ° | ||
Polarität Vorwärts | ||
Automobilstandard Nein | ||
Serie D | ||
Regelanstiegszeit 10ns | ||
Durchschlagspannung 30V | ||
Dunkelstrom 1nA | ||
- Ursprungsland:
- MY
Die planaren diffusen Silizium-Fotodioden der OSI Optoelectronics PIN-3CDI-Photovoltaik-Serie werden für Anwendungen verwendet, die eine hohe Empfindlichkeit und mittlere Ansprechgeschwindigkeiten erfordern, mit einer zusätzlichen Empfindlichkeit im sichtbaren blauen Bereich für die blau verbesserte Serie. Diese Detektoren haben einen hohen Shunt-Widerstand und geringes Rauschen und weisen eine langfristige Stabilität auf. Der Abstand von der Top-of-Chip zur Top-of-Gla Der Abstand von Top-of-Glass bis Unterseite des Gehäuses beträgt 0,150 Zoll.
Extrem rauscharm
Hoher Nebenwiderstand
Großer Dynamikbereich
Erhöhte Blauempfindlichkeit
Verwandte Links
- OSI Optoelectronics D Fotodiode Infrarot 65 ° 970 nm, Durchsteckmontage TO-18-Gehäuse 3-Pin
- OSI Optoelectronics Pin Fotodiode Infrarot 65 ° 970 nm, SMD 1-Pin
- OSI Optoelectronics Spot Fotodiode Infrarot 65 ° 970 nm, Durchsteckmontage 3-Pin
- OSI Optoelectronics Photoconductive Fotodiode Infrarot 65 ° 970 nm, Durchsteckmontage TO-18-Gehäuse 3-Pin
- OSI Optoelectronics Spot Fotodiode Infrarot 65 ° 970 nm, Durchsteckmontage TO-18-Gehäuse 3-Pin
- OSI Optoelectronics Spot Fotodiode Infrarot 65 ° 970 nm, Durchsteckmontage TO-5-Gehäuse 3-Pin
- OSI Optoelectronics Pin Fotodiode Infrarot 65 ° 970 nm, Durchsteckmontage TO-8-Gehäuse 2-Pin
- OSI Optoelectronics DP Fotodiode Infrarot 65 ° 970 nm, Durchsteckmontage TO-5-Gehäuse 3-Pin